[实用新型]晶圆片气相沉积用盖板有效
申请号: | 202020652279.2 | 申请日: | 2020-04-26 |
公开(公告)号: | CN212223098U | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 朱海艳 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯贝伊尔半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
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地址: | 110000 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆片气相 沉积 盖板 | ||
本实用新型提供了一种晶圆片气相沉积用盖板,晶圆片气相沉积用盖板包括:盖板本体、定位孔、支撑脚、透气孔和安装孔;至少两个定位孔贯穿盖板本体,至少两个定位孔均匀设置在盖板本体上,且晶圆片嵌入定位孔内;至少四个支撑脚分别与至少两个定位孔相连接,支撑脚向定位孔中心延伸,且支撑脚与晶圆片相贴合;至少两个透气孔贯穿盖板本体,且至少两个透气孔与至少两个定位孔间隔设置;至少两个安装孔贯穿盖板本体,且至少两个安装孔同时位于盖板本体的中心线上;其中,支撑脚的横截面为梯形,支撑脚的宽度由靠近盖板本体的一端向远离盖板本体的一端减小,且支撑脚与盖板本体为一体式结构。
技术领域
本实用新型涉及晶圆片载体技术领域,具体而言,涉及一种晶圆片气相沉积用盖板。
背景技术
目前,在相关技术中,晶圆片化学气相沉积是通过化学气体或蒸汽在晶圆片表面反应合成涂层或纳米材料的方法。它是将两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到晶原片表面上,是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术。然而,这种工序需要将晶圆片放在载体上,通过载体对晶圆片进行支撑,以使气体与晶圆片充分接触,从而使新材料均匀沉积附着在晶圆片表面,以提升晶圆片的性能。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
为此,本实用新型提出一种晶圆片气相沉积用盖板。
有鉴于此,本实用新型提供了一种晶圆片气相沉积用盖板,晶圆片气相沉积用盖板包括:盖板本体、定位孔、支撑脚、透气孔和安装孔;至少两个定位孔贯穿盖板本体,至少两个定位孔均匀设置在盖板本体上,且晶圆片嵌入定位孔内;至少四个支撑脚分别与至少两个定位孔相连接,支撑脚向定位孔中心延伸,且支撑脚与晶圆片相贴合;至少两个透气孔贯穿盖板本体,且至少两个透气孔与至少两个定位孔间隔设置;至少两个安装孔贯穿盖板本体,且至少两个安装孔同时位于盖板本体的中心线上;其中,支撑脚的横截面为梯形,支撑脚的宽度由靠近盖板本体的一端向远离盖板本体的一端减小,且支撑脚与盖板本体为一体式结构。
在该技术方案中,首先,通过使至少两个定位孔贯穿盖板本体,至少两个定位孔均匀设置在盖板本体上,且晶圆片嵌入定位孔内,以通过定位孔对嵌入其内的晶圆片进行定位,以避免晶圆片气相沉积时,与气相沉积设备产生相对位移,以提升晶圆片气相沉积的质量;其次,通过将至少四个支撑脚分别与至少两个定位孔相连接,支撑脚向定位孔中心延伸,且支撑脚与晶圆片相贴合,以实现对晶圆片的支撑作用,避免晶圆片与盖板本体脱离,避免工序结束时,无法将晶圆片拿出的情况产生;再次,通过使至少两个透气孔贯穿盖板本体,且至少两个透气孔与至少两个定位孔间隔设置,以实现对盖板本体散热的技术效果,进而加速晶圆片热量向盖板本体传递的速率,使热量分布均匀;再次,通过使至少两个安装孔贯穿盖板本体,且至少两个安装孔同时位于盖板本体的中心线上,以便于将盖板本体安装在气相沉积设备上,从而提升盖板本体的稳定性,进而确保晶圆片气相沉积的质量;再次,通过使支撑脚的横截面为梯形,支撑脚的宽度由靠近盖板本体的一端向远离盖板本体的一端减小,以增强支撑脚稳定性的同时,减小支撑脚与晶圆片的接触面积,从而避免支撑脚脱落,延长产品的使用寿命,确保对晶圆片的支撑效果;再次,通过使支撑脚与盖板本体为一体式结构,以提升产品整体的强度,工艺简单,减少操作步骤,降低生产成本。采用此种连接方式,结构简单,生产成本较低,使用时先通过连接装置将盖板本体与气相沉积装置连接,以避免盖板本体与气相沉积装置发生相对位移,从而提升盖板本体的稳定性;再将晶圆片放置在定位孔内,并使其与支撑脚相贴合,以实现定位孔对晶圆片的定位作用,同时为晶圆片提供支撑力,实现产品承载晶圆片的功能,以提升晶圆片的稳定性;通过使气体从而透气孔排出,以提升晶圆片周围气体流通的速率,从而确保气相沉积的效果,以提升晶圆片质量;通过使支撑脚横截面为梯形,提供足够支撑力的同时,减小与晶圆片的接触面积,从而增大晶圆片与气体的接触面积,提升沉积质量和效率。
另外,本实用新型提供的上述技术方案中的晶圆片气相沉积用盖板还可以具有如下附加技术特征:
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的