[实用新型]一种基于硅基MEMS的射频接收装置

权利要求书

1.一种基于硅基MEMS的射频接收装置，其特征在于：包括MEMS滤波器A、MEMS滤波器B、增益可调放大芯片、集成下变频芯片，所述MEMS滤波器A输入端接收外部射频信号，MEMS滤波器A输出端与增益可调放大芯片输入端相连，增益可调放大芯片输出端与MEMS滤波器B输入端相连，MEMS滤波器B输出端与集成下变频芯片射频输入端相连，集成下变频芯片通过两路中频信号输出端输出正交中频IQ信号，集成下变频芯片本振输入端与外部本振信号输入端相连。

2.根据权利要求1所述的一种基于硅基MEMS的射频接收装置，其特征在于：所述增益可调放大芯片具体包括限幅器芯片、放大器芯片、数控衰减器芯片，限幅器芯片输入端与MEMS滤波器A输出端相连，限幅器芯片输出端与放大器芯片输入端相连，放大器芯片输出端与数控衰减器芯片输入端相连，数控衰减器芯片输出端与MEMS滤波器B输入端相连。

3.根据权利要求1所述的一种基于硅基MEMS的射频接收装置，其特征在于：所述集成下变频芯片具体包括放大器芯片、滤波器芯片、IQ混频器芯片，放大器芯片输入端与MEMS滤波器B输出端相连，放大器芯片输出端与滤波器芯片输入端相连，滤波器芯片输出端、外部本振信号输入端分别与IQ混频器芯片射频输入端与本振输入端相连，IQ混频器芯片通过两路中频信号输出端输出正交中频IQ信号。

4.根据权利要求1所述的一种基于硅基MEMS的射频接收装置，其特征在于：所述MEMS滤波器A、MEMS滤波器B、增益可调放大芯片、集成下变频芯片分别通过TSV及硅腔刻蚀集成于由下至上堆叠排列的四层硅片上。

5.根据权利要求4所述的一种基于硅基MEMS的射频接收装置，其特征在于：所述四层硅片第一层为地层，第二层为无源电路层、第三层为有源电路层、第四层为供电层，各层硅片间通过TSV互连，由下至上垂直堆叠排列。

6.根据权利要求5所述的一种基于硅基MEMS的射频接收装置，其特征在于：所述地层通过TSV接地。

7.根据权利要求5所述的一种基于硅基MEMS的射频接收装置，其特征在于：所述无源电路层、有源电路层采用硅腔刻蚀。

8.根据权利要求4所述的一种基于硅基MEMS的射频接收装置，其特征在于：所述MEMS滤波器A、MEMS滤波器B集成于无源电路层硅片上，所述增益可调放大芯片、集成下变频芯片集成于无源电路层、有源电路层间刻蚀形成的硅腔内。

9.根据权利要求5所述的一种基于硅基MEMS的射频接收装置，其特征在于：所述供电层通过TSV为有源电路层互连供电。

10.根据权利要求8所述的一种基于硅基MEMS的射频接收装置，其特征在于：所述硅腔内有源电路通过键合与无源电路间进行射频信号互连。