[实用新型]一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构有效

专利信息
申请号: 202020682930.0 申请日: 2020-04-29
公开(公告)号: CN212303632U 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 孙效中;汤为;李江华 申请(专利权)人: 常州旺童半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/687 分类号: H01L21/687;H01L21/306;H01L21/78
代理公司: 合肥方舟知识产权代理事务所(普通合伙) 34158 代理人: 宋萍
地址: 213000 江苏省常*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 使用 化学 方法 划片 结构
【说明书】:

实用新型公开了一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构,包括晶圆,晶圆的前壁上设有衬底,且衬底前壁开设有安装槽,安装槽内设有若干个芯片,且安装槽内若干个芯片呈矩阵阵列排列设置,相邻芯片之间的安装槽上开设有划片道,安装槽内靠近左右两侧分别设有夹板,且两个夹板的后壁均与安装槽内腔侧壁靠近后侧处活动连接,两个夹板相远离的一侧外均设有偏心轮,通过氮化硅层和二氧化硅层的相互配合,可以实现化学切割,同时进行多条划片道的切割,提高了切割效率和经济效益,从而可以实现经济效益高和切割效率好的效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体为一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构。

背景技术

在芯片的加工过程中,为了后续的划片操作,在晶圆的生产过程中会加入划片道的结构。目前的划片方式大多为物理方式,即在划片道处使用带钻石颗粒的砂轮在高速旋转的情况下对芯片进行切割,但是现有技术的划片道结构由于芯片硬度很大,对砂轮的损耗过大,需要频繁更换砂轮,经济效益偏低且由于使用物理方式,每次只能进行一条划片道的切割,切割效率低。为此,我们提出一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题在于克服现有技术的经济效益低和切割效率低等缺陷,提供一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构。所述一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构具有经济效益高和切割效率好等特点。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种芯片能使用化学方法划片的划片道结构,包括晶圆,所述晶圆的前壁上设有衬底,且衬底前壁开设有安装槽,所述安装槽内设有若干个芯片,且安装槽内若干个芯片呈矩阵阵列排列设置,相邻芯片之间的安装槽上开设有划片道,所述安装槽内靠近左右两侧分别设有夹板,且两个夹板的后壁均与安装槽内腔侧壁靠近后侧处活动连接,两个所述夹板相远离的一侧外均设有偏心轮,且两个偏心轮后壁均与安装槽内腔侧壁靠近后侧处活动连接,两个所述偏心轮的底部靠近中间处分别固定连接有拨动杆。

优选的,两个所述夹板上方和下方分别设有限位柱,且两侧的两个限位柱相靠近的一侧分别与两个夹板顶部和底部相接触,两侧的两个所述限位柱的后端均与安装槽内腔侧壁靠近后侧处固定连接。

优选的,两个所述夹板相远离的一侧靠近顶部和底部分别固定连接有弹簧,且两侧的两个弹簧相远离的一端均与安装槽的内腔侧壁固定连接。

优选的,所述安装槽的内腔侧壁靠近左右两侧处分别固定连接有螺纹杆,且两个偏心轮的后壁靠近底部处分别开设有与螺纹杆相匹配的螺纹孔。

优选的,两个所述偏心轮相靠近的一侧分别固定连接有弧形抵板,且两个弧形抵板相靠近的一侧分别与两个所述夹板相靠近的一侧相接触。

优选的,所述划片道上设有二氧化硅层,所述二氧化硅层顶部上设有两个氮化硅层,且两个氮化硅层相远离的一侧分别与划片道内腔侧壁靠近左右两侧处固定连接。

优选的,所述二氧化硅层的厚度设置大于氮化硅层的厚度设置。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

1、在本技术方案中,通过偏心轮、夹板、弧形抵板、螺纹杆、螺纹孔、限位柱和拨动杆的相互配合,可以实现芯片划片切割时的固定,保证了稳定性,弹簧则对夹板的运动进行缓冲保护,避免芯片受到损坏;

2、在本技术方案中,通过氮化硅层和二氧化硅层的相互配合,可以实现化学切割,同时进行多条划片道的切割,提高了切割效率和经济效益,从而可以实现经济效益高和切割效率好的效果。

附图说明

图1为本实用新型的原始结构图;

图2为图1中划片道的正视图;

图3为图2中晶圆减薄后的示意图;

图4为图3中芯片划片后的示意图;

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