[实用新型]一种硅片吸取分离装置有效
申请号: | 202020691535.9 | 申请日: | 2020-04-29 |
公开(公告)号: | CN211929460U | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 丁治祥;强嘉杰;沈晓琪;李亚康 | 申请(专利权)人: | 无锡小强半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/68;H01L21/67;C23C16/458 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 吸取 分离 装置 | ||
本实用新型公开了一种硅片吸取分离装置,包括硅片吸取装置、硅片分片装置和移动硅片吸取装置的移动组件,所述硅片吸取装置设置于移动组件下侧,所述硅片吸取装置用于吸取硅片,所述硅片分片装置用于分离硅片,本实用新型通过采用真空设备对硅片进行吸取,降低了人力成本,提高了工作效率,并在吸盘侧边设置斜槽,对硅片的进入和离开插槽进行导向,避免发生硅片破损,提高了工作质量,本实用新型采用风刀底板和风刀板紧密连接的结构,通过设置扁平的喷腔,增大了气体的压强,从而增大了喷出气体的强度,提高了硅片分片效率。
技术领域
本实用新型属于光伏领域,涉及一种硅片吸取分离装置。
背景技术
半导体或光伏材料广泛应用于电子、新能源等行业,半导体和光伏材料通常都需要经过加工处理才能够应用到产品上,CVD技术、扩散工艺或氧化工艺是其中的一种处理方式,其中CVD即化学气相沉积,CVD技术目前已经广泛用于半导体或光伏材料加工,常见的加工设备有PECVD、LPCVD、APCVD等,除了CVD 之外还有扩散工艺包括磷扩散、硼扩散等。目前行业内已有不少相关的设备,可以针对具体的加工需求来选择相应的设备进行加工,半导体或光伏材料的加工,通常是将片状材料送入炉中在一定温度和压力的条件下进行反应来实现。
在加工的过程中,需要将硅片成对抓取,并能对成对的硅片进行分片,传统的抓取分片工艺,人力成本高,工作效率低,且容易造成硅片破损,此设备有效地解决了这种问题。
发明内容
本实用新型为了克服现有技术的不足,提供一种硅片吸取分离装置。
为了实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:一种硅片吸取分离装置, 其特征在于:包括硅片吸取装置、硅片分片装置和移动硅片吸取装置的移动组件,所述硅片吸取装置设置于移动组件下侧,所述硅片吸取装置用于吸取硅片,所述硅片分片装置用于分离硅片。
进一步的;所述移动组件包括导轨安装板,所述导轨安装板下侧固设有滑轨,所述滑轨上滑动设置有移动块,所述移动块下侧固设有顶板,所述顶板下侧与硅片吸取装置固设连接,所述导轨安装板上设置有驱动电机,所述驱动电机输出轴固设连接有转动丝杆,所述转动丝杆上设置有与顶板固设连接的定座,所述驱动电机驱动硅片吸取装置沿滑轨做往复运动。
进一步的;所述移动组件还包括有感应组件,所述感应组件包括固设于定座上的挡板,导轨安装板上固设有U型传感器,所述U型传感器采用感光原理,所述U型传感器包括端块,所述两组端块分别设置于上板两侧,且相对设置,所述U型传感器通电后一侧端块发出光束,另一侧端块感应光束,当所述上板移动到端块之间时,感应端接收不到光束信号,此时设备处于设定的位置,通过U 型传感器确认设备是否处于设定的位置,并将设备控制在设定的位置上。
进一步的;所述硅片吸取装置包括进气组件、固定组件和吸取组件,所述固定组件包括吸盘端板、吸盘端块以及连接吸盘端板和吸盘端块的连接杆,所述连接杆将吸取组件与固定组件连接,所述吸取组件包括吸盘,所述吸盘上固设有吸取槽,所述进气组件为吸取组件供气,所述吸取组件通过吸取槽吸取硅片。
进一步的;所述硅片分片装置包括吹气组件和固定吹气组件的支架组件,所述吹气组件包括有连通管,所述连通管用于对吹气组件供气,所述支架组件支撑吹气组件,所述吹气组件用于硅片分片。
进一步的;所述进气组件包括吸盘安装板,所述吸盘安装板内设置有开口朝下的通气腔,所述通气腔下侧与固定组件固设连接,所述通气腔一侧连通设置有连管,所述连管与外接真空设备连通,所述外接真空设备为进气组件供能;
所述吸取组件由多组吸盘紧密连接而成,所述吸盘包括固定板和吸取板,所述固定板上固设有连接孔,所述连接孔大小和位置与连接杆腔相配,所述连接杆通过贯穿连接孔将吸取组件固设在固定组件上,所述每组吸盘上的固定板紧密贴合,所述两组吸取板间形成有插槽,设备将硅片吸取进入插槽内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造