[实用新型]一种高效低光衰掺镓PERC电池

权利要求书

1.一种高效低光衰掺镓PERC电池，包括从下至上依次设置的背电极、背电场、背面钝化膜、掺镓基底硅、N型发射极、正面减反射膜和正面电极，所述背电场通过开设在背面钝化膜上的开槽与掺镓基底硅接触，其特征在于：所述背电场的材质为掺硼铝。

2.根据权利要求1所述的高效低光衰掺镓PERC电池，其特征在于：所述掺镓基底硅为P型单晶掺镓基底硅，其电阻率为0.3-1.5Ω.cm。

3.根据权利要求2所述的高效低光衰掺镓PERC电池，其特征在于：所述P型单晶掺镓基底硅的厚度为150-200um。

4.根据权利要求3所述的高效低光衰掺镓PERC电池，其特征在于：所述正面减反射膜采用三层SiNx膜。

5.根据权利要求4所述的高效低光衰掺镓PERC电池，其特征在于：所述正面减反射膜的膜厚为70-85nm，折射率为2.04-2.30％。

6.根据权利要求5所述的高效低光衰掺镓PERC电池，其特征在于：所述背面钝化膜包括从下至上依次设置的SiNx膜、SiOx膜和AlOx膜，所述SiNx膜为三层。

7.根据权利要求6所述的高效低光衰掺镓PERC电池，其特征在于：所述背面钝化膜的膜厚为120-150nm，折射率为2％-2.1％。