[实用新型]一种制备碳化硅的冶炼炉有效

专利信息
申请号: 202020707995.6 申请日: 2020-04-30
公开(公告)号: CN212179572U 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 张玉磊;焦玉条 申请(专利权)人: 内蒙古申弘新材料科技有限公司
主分类号: F27B17/00 分类号: F27B17/00;F27D11/10;C01B32/956;F27D1/14;F27D1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 013450 内蒙古自治*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 碳化硅 冶炼
【说明书】:

实用新型公开了一种制备碳化硅的冶炼炉,其包括两个炉头,安装在两个炉头上的电极,设置在两个炉头两侧之间的炉墙,以及固定在炉墙外侧的炉墙支撑;在炉墙支撑外侧的地面上预埋有钢柱,在钢柱的顶端中部开设有销孔,在销孔内活动插接有定位柱,定位柱与对应的炉墙支撑的底端活动接触。优点:通过在地面预埋钢柱,并在钢柱内插入定位柱可对炉墙支撑起到固定作用,防止炉墙滑移,加强炉墙稳定性,进而降低安全隐患;同时,在炉体内底部设置块状填充层,可加强炉底热量的散失,使得炉体各个方向同时散热,可降低炉体内部温度场的偏移量,进而提高碳化硅的品质。

技术领域:

本实用新型涉及碳化硅生产技术领域,具体地说涉及一种制备碳化硅的冶炼炉。

背景技术:

在传统工业上冶炼碳化硅时所使用的碳化硅冶炼反应炉,通常包括两个炉头,在两个炉头上的安装电极,在两个炉头两侧之间放置炉墙,在炉墙外侧固定炉墙支撑;反应过程中,将原料及炉芯放置在反应炉内,给两端的电极通电,通过炉芯来加热原料,经过原料的热传递来提升原料的温度,当原料温度上升到反应所需温度时,即可达到冶炼碳化硅的目的。上述反应炉存在以下问题:1、仅靠炉墙支撑对炉墙起支撑作用,填充原料后,炉墙承重大,容易在厂区地面滑移,反应过程中存在更大的安全隐患;2、碳化硅冶炼的反应原理是先通过加热炉芯,再由高温炉芯向低温原料进行热传递来达到冶炼效果,但是,实际反应过程中炉体两侧和上方散失的热量较多,而炉底的热量散失量较少,这就造成炉体内部温度场相对炉芯发生偏移,会直接影响碳化硅的品质。

实用新型内容:

本实用新型的目的在于提供一种制备碳化硅的冶炼炉,安全性高。

本实用新型由如下技术方案实施:一种制备碳化硅的冶炼炉,其包括两个炉头,安装在两个炉头上的电极,设置在两个炉头两侧之间的炉墙,以及固定在炉墙外侧的炉墙支撑;在所述炉墙支撑外侧的地面上预埋有钢柱,在所述钢柱的顶端中部开设有销孔,在所述销孔内活动插接有定位柱,所述定位柱与对应的所述炉墙支撑的底端活动接触。

进一步的,在两个所述炉头与所述炉墙之间的地面上开设槽体,在所述槽体内部填充有块状填充层,在所述块状填充层的顶端中部预留有倒梯形容纳槽,在所述倒梯形容纳槽的内壁及其两侧的所述块状填充层的顶部铺设有耐火层。

进一步的,所述块状填充层由石子填充构成。

进一步的,所述耐火层由耐火砖构成。

本实用新型的优点:通过在地面预埋钢柱,并在钢柱内插入定位柱可对炉墙支撑起到固定作用,防止炉墙滑移,加强炉墙稳定性,进而降低安全隐患;同时,在炉体内底部设置块状填充层,可加强炉底热量的散失,使得炉体各个方向同时散热,可降低炉体内部温度场的偏移量,进而提高碳化硅的品质。

附图说明:

图1为本实用新型的整体结构示意图。

炉头1、电极2、炉墙3、炉墙支撑4、地面5、钢柱6、销孔7、定位柱8、槽体9、块状填充层10、倒梯形容纳槽11、耐火层12。

具体实施方式:

在本实用新型的描述中,需要说明的是,如出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等,其指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,如出现术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。

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