[实用新型]一种自适应抗辐射探测控制器芯片及控制系统有效

专利信息
申请号: 202020712957.X 申请日: 2020-04-30
公开(公告)号: CN211956174U 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 张薇;邢康伟;朱恒宇;刘刚 申请(专利权)人: 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;李向英
地址: 101111 北京市大兴区经济技术*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 自适应 辐射 探测 控制器 芯片 控制系统
【权利要求书】:

1.一种自适应抗辐射探测控制器芯片,其特征在于,包括:

射线探测器,用于探测放射线的辐射强度并提供辐射强度信号;

信号比较器,连接至所述射线探测器,用于根据所述辐射强度信号提供模拟信号;以及

自适应控制器,所述自适应控制器的输入端连接至所述信号比较器的输出端,用于根据所述模拟信号生成状态信号,并根据所述状态信号向所述信号比较器的控制端提供控制信号;

其中,当所述状态信号表征所述信号比较器处于待修正状态时,所述控制信号被设置以修正所述信号比较器的工作参数。

2.根据权利要求1所述的自适应抗辐射探测控制器芯片,其特征在于,所述自适应控制器包括检测模块、比较模块和控制模块,其中:

所述检测模块连接至所述信号比较器的输出端,用于对所述模拟信号进行探测以生成状态信号;

所述比较模块连接至所述检测模块,用于根据所述状态信号和预定的基准信号提供对比结果;

所述控制模块连接至所述比较模块,用于根据所述比较结果和所述预定的基准信号提供所述控制信号。

3.根据权利要求1所述的自适应抗辐射探测控制器芯片,其特征在于,所述自适应控制器为专用集成电路。

4.根据权利要求1所述的自适应抗辐射探测控制器芯片,其特征在于,还包括信号采样电路,所述信号采样电路连接在所述射线探测器与所述信号比较器之间,用于对所述辐射强度信号进行放大和滤波处理。

5.根据权利要求4所述的自适应抗辐射探测控制器芯片,其特征在于,所述信号采样电路包括运算放大电路和信号滤波电路,其中所述运算放大电路连接在所述射线探测器与所述信号滤波电路之间。

6.根据权利要求1或4所述的自适应抗辐射探测控制器芯片,其特征在于,还包括模数转换器和数据输出电路,其中所述模数转换器的输入端连接至所述信号比较器的输出端,所述模数转换器的输出端连接至所述数据输出电路的输入端。

7.根据权利要求1所述的自适应抗辐射探测控制器芯片,其特征在于,还包括:保护电路,连接至所述信号比较器,以保护所述信号比较器。

8.根据权利要求7所述的自适应抗辐射探测控制器芯片,其特征在于,所述保护电路包括:看门狗电路、三模冗余电路和抗单粒子翻转的DICE结构电路中的至少一个。

9.根据权利要求1所述的自适应抗辐射探测控制器芯片,其特征在于,所述自适应抗辐射探测控制器芯片具有抗辐射加固结构,所述抗辐射加固结构包括特殊栅结构、抗单粒子闩锁的隔离环中的至少一种。

10.一种自适应抗辐射探测控制系统,其特征在于,包括:

显示装置;以及

如权利要求1至9任一项所述的自适应抗辐射探测控制器芯片,所述显示装置电连接至所述自适应抗辐射探测控制器芯片的输出端。

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