[实用新型]一种碳化硅单晶的生长装置

权利要求书

1.一种碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述生长装置包括:

长晶炉，所述长晶炉内部形成炉体腔室；

第一坩埚，所述第一坩埚底部分布有多个第一通孔；

第二坩埚，所述第二坩埚顶部分布有多个与第一通孔贯通的第二通孔，所述第二坩埚位于第一坩埚的下方，所述第一坩埚和第一坩埚均设置于所述炉体腔室中；

旋转升降机构，所述旋转升降机构与第一坩埚和/或第二坩埚连接。

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述多个第一通孔对称分布于所述第一坩埚的底部，所述多个第二通孔对称分布于所述第二坩埚的顶部。

3.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述多个第一通孔的开孔面积为第一坩埚底部面积的6～36％，所述多个第二通孔的开孔面积为第二坩埚顶部面积的6～36％。

4.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述第一通孔的截面形状选自圆形、正方形、长方形、菱形、椭圆形和多边形中的一种，

所述第二通孔的截面形状选自圆形、正方形、长方形、菱形、椭圆形和多边形中的一种。

5.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述第一通孔的尺寸与第二通孔的尺寸相同，所述第一通孔的数量与第二通孔的数量相同。

6.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述第一坩埚的底部侧壁径向向内凹陷形成凸起，第二坩埚的顶部向上延伸形成与凸起匹配的凹槽。

7.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述第一坩埚和第二坩埚均为筒状结构，第一坩埚的内径与第二坩埚的内径相同，第一坩埚的高度大于第二坩埚的高度。

8.根据权利要求7所述的碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述第二坩埚的高度为第一坩埚高度的1/5～1/2。

9.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述旋转升降机构包括支撑杆、旋转升降台和电机，所述旋转升降台固定在支撑杆的顶部，第二坩埚固定在旋转升降台的顶部，所述支撑杆与电机驱动连接。

10.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述第一坩埚的底部设置有原料区，顶部粘结有籽晶；第二坩埚的底部设置有原料区，所述长晶炉的外侧设置有加热装置。