[实用新型]应用于功率转换器的封装结构

权利要求书

1.一种应用于功率转换器的封装结构，包括：

第一晶片，至少包括第一功率晶体管和第一控制和驱动电路；

第二晶片，至少包括第二功率晶体管；

连接装置，用以在所述封装结构内部，通过所述连接装置将所述第一功率晶体管和第二功率晶体管依次串联耦接在所述封装结构的引线框架的高电平引脚和低电平引脚之间；

所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管的公共连接点通过低互连电阻的金属连接结构耦接至所述引线框架的输出引脚。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二功率晶体管被配置为具有垂直电流流向的功率器件。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一功率晶体管与所述高电平引脚之间的连接，所述第二功率晶体管与所述低电平引脚之间的连接，通过低互连电阻的金属连接结构或者通过堆叠式的直接连接方式来实现。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，低互连电阻的金属连接结构被配置为片状的金属夹结构或者重布线金属结构。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一功率晶体管的控制电极和第一功率电极和第二功率电极位于所述第一晶片的同一表面。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二功率晶体管的第一功率电极和所述第二功率电极位于所述第二晶片的不同表面。

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述第一晶片和第二晶片并行排列。

8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述连接装置包括金属夹结构，以通过焊接层与所述第一功率晶体管的第二功率电极和所述第二功率晶体管的第一功率电极电耦接，并连接至引线框架的相应引脚。

9.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述连接装置包括金属重布线结构，所述第一功率晶体管的第二电极和所述第二功率晶体管的第一电极，通过焊接工艺，与所述金属重布线层连接，并经由所述金属重布线结构连接至引线框架的相应引脚。

10.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一功率晶体管的第一功率电极和第二功率电极的电位区域位于所述第一晶片的相对两侧区域，所述第一功率晶体管的第二功率电极的电位区域位于靠近第二晶片的一侧。

11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述连接装置包括低互连电阻的金属连接结构，以在所述封装结构内部将所述第二功率晶体管的第一功率电极和所述第一功率晶体管的第二功率电极进行连接，以容纳大电流和降低互连电阻。

12.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述低互连电阻的金属连接结构包括与所述第一功率晶体管的第二功率电极相连的第一部分和与所述第二功率晶体管的第一功率电极相连的第二部分，所述第一部分和第二部分相接触。

13.根据权利要求12所述的封装结构，其特征在于，所述第一部分被配置为图案化的重布线金属结构，以将所述第一功率晶体管的第二功率电极引出。

14.根据权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述第二部分被配置为金属夹结构。

15.根据权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述图案化的重布线金属结构包括电气引线和指状结构；所述指状结构与电极引出结构相连接，所述电气引线与所述指状结构相连接，以将相应的电位引出。