[实用新型]射频器件

说明书

射频器件。一种微波或射频RF器件包括基板，该基板包括电绝缘材料。该基板具有第一表面和与第一表面平行的第二表面。该RF器件还包括设置在基板的第一表面上的RF组件。该RF器件还包括设置在基板的第二表面上的导电层，导电层形成与RF组件电绝缘的接地平面。该RF器件还包括设置在基板的与第一表面共面的表面上的缺陷接地结构，其中，该缺陷接地结构电连接到导电层，并且其中，该缺陷接地结构包括与RF组件相邻并且相对于RF组件横向延伸的多个横向延伸构件。

技术领域

本实用新型涉及射频器件，特别是涉及与射频组件共面的缺陷接地结构。

背景技术

微波和射频(RF)电路可以包括诸如可以对输入信号进行滤波以生成滤波输出信号的滤波器的组件。滤波器可以包括例如带通滤波器、高通滤波器、低通滤波器等。

实用新型内容

在一个实施方式中，一种射频器件包括：基板，其具有第一表面和与所述第一表面平行的第二表面，所述基板包括电绝缘材料；射频组件，其设置在所述基板的所述第一表面上；导电层，其设置在所述基板的所述第二表面上，所述导电层形成与所述射频组件电绝缘的接地平面；以及缺陷接地结构，其设置在所述基板的表面上并且电连接到所述导电层，所述缺陷接地结构包括朝向所述射频组件延伸的多个构件。

在一些实施方式中，所述缺陷接地结构的所述多个构件包括设置在所述射频组件的第一侧的第一多个分立构件以及设置在所述射频组件的与所述第一侧相反的第二侧的第二多个分立构件。

在一些实施方式中，所述缺陷接地结构是关于所述射频组件的纵轴对称地配置的。

在一些实施方式中，所述多个构件中的至少一个构件具有扇形形状。

在一些实施方式中，所述多个构件中的至少一个构件具有T形形状。

在一些实施方式中，所述射频器件还包括设置在所述基板的所述第一表面上的导电盖，所述导电盖与所述缺陷接地结构电联接，其中，所述导电盖覆盖所述射频组件。

在一些实施方式中，所述缺陷接地结构的谐振频率是所述缺陷接地结构的所述多个构件的尺寸的函数。

在一些实施方式中，所述缺陷接地结构的谐振频率高于所述射频组件的截止频率，其中，所述射频组件是低通滤波器。

在一些实施方式中，所述缺陷接地结构的谐振频率具有1GHz至300GHz范围内的值。

在一些实施方式中，所述射频组件包括高通滤波器、带通滤波器、放大器和传输线中的至少一者。

在一个实施方式中，一种RF器件包括具有第一表面和与所述第一表面平行的第二表面的基板，所述基板包括电绝缘材料。所述RF器件还包括设置在所述基板的所述第一表面上的RF组件。所述RF器件还包括设置在所述基板的所述第二表面上的导电层，所述导电层形成与所述RF组件电绝缘的接地平面。所述RF器件还包括设置在所述基板的与所述第一表面共面的表面上的缺陷接地结构，其中，所述缺陷接地结构电连接到所述导电层，并且其中，所述缺陷接地结构包括与所述RF组件相邻并且相对于所述RF组件横向延伸的多个横向延伸构件。

在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件中的两个相邻构件限定一间隙，所述间隙具有在与所述RF组件的纵轴平行的方向上的尺寸。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件包括第一横向延伸构件以及第二横向延伸构件，所述第一横向延伸构件设置在所述RF组件的第一侧，并且所述第二横向延伸构件设置在所述RF组件的与所述第一侧相反的第二侧。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件中的各个横向延伸构件具有与所述RF组件的纵轴垂直的纵轴。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件中的各个横向延伸构件具有与所述RF组件的纵轴不垂直的纵轴。