[实用新型]一种防止打火的等离子刻蚀装置的下电极结构有效

专利信息
申请号: 202020751930.1 申请日: 2020-05-09
公开(公告)号: CN211957593U 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 王铖熠;刘小波;郭颂;侯永刚;李娜;张军;胡冬冬;许开东 申请(专利权)人: 北京鲁汶半导体科技有限公司
主分类号: H01J37/04 分类号: H01J37/04
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 肖鹏
地址: 100176 北京市大兴区北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 防止 打火 等离子 刻蚀 装置 电极 结构
【权利要求书】:

1.一种防止打火的等离子刻蚀装置的下电极结构,包括下电极(1)和外部进气通道(2);所述下电极(1)的上表面设置有冷却气槽(102a);冷却气体经外部进气通道(2)进入冷却气槽(102a);其特征在于:所述外部进气通道(2)内靠近下电极(1)的一端沿气流方向嵌入设置有多个首尾相连的毛细管(3);每个所述毛细管(3)的两端均设置有台阶沉槽(301);

每个所述毛细管(3)包括多个沿气流方向的流通支管(302);所述流通支管(302)的两端开设在台阶沉槽(301)的槽底;相邻的两个毛细管(3)的流通支管(302)交错布置。

2.根据权利要求1所述的防止打火的等离子刻蚀装置的下电极结构,其特征在于:相邻的两个毛细管(3)的流通支管(302)沿径向交错布置。

3.根据权利要求2所述的防止打火的等离子刻蚀装置的下电极结构,其特征在于:所述下电极(1)包括底板(101)和固定在底板(101)上的顶板(102);所述冷却气槽(102a)设置在顶板(102)上表面;所述顶板(102)的下表面加工有冷却气通道(102b);所述底板(101)上设置有冷却气进口(101a);

外部进气通道(2)的冷却气体依次流经冷却气进口(101a)、冷却气通道(102b)和冷却气槽(102a)。

4.根据权利要求3所述的防止打火的等离子刻蚀装置的下电极结构,其特征在于:所述冷却气槽(102a)为环状。

5.根据权利要求4所述的防止打火的等离子刻蚀装置的下电极结构,其特征在于:所述下电极(1)的外部设置有绝缘壳;所述绝缘壳包括固定在下电极(1)下方的陶瓷座(103)、围绕在下电极(1)侧壁外周的绝缘环(104)和固定在下电极(1)上方的陶瓷压环(105)。

6.根据权利要求5所述的防止打火的等离子刻蚀装置的下电极结构,其特征在于:还包括底座(106)、屏蔽环(107)和限制环(108);所述底座(106)固定在反应腔体底部;所述屏蔽环(107)和限制环(108)依次设置在底座(106)上方;所述下电极(1)及其绝缘壳置于底座(106)上方,且位于屏蔽环(107)和限制环(108)内。

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