[实用新型]频率补偿电路

权利要求书

1.一种频率补偿电路，其特征在于，包括：

第一晶体管，具有穿过所述第一晶体管的第一电流路径，所述第一电流路径通过第一电阻器而以地为基准；

第二晶体管，具有穿过所述第二晶体管的第二电流路径，所述第二电流路径通过第二电阻器而以地为基准；

其中所述第一电流路径和所述第二电流路径耦合到输入电流线，所述输入电流线被配置成由输入电流穿过；

其中所述第一晶体管以二极管布置被配置，其中所述第一晶体管的控制端子耦合到所述第一电流路径；

第三晶体管，具有穿过所述第三晶体管的第三电流路径，所述第三电流路径通过第三电阻器而以地为基准；

其中所述第三晶体管的控制端子耦合到所述第一晶体管的控制端子；

其中所述第三电流路径耦合到输出电流线，所述输出电流线被配置成由输出电流穿过；

其中所述输出电流经由电流镜像因子来镜像所述输入电流；

第四电阻器，耦合在所述第一晶体管的所述控制端子与所述第二晶体管的控制端子之间；

第一电容器，耦合在地与所述第二晶体管的所述控制端子之间；以及

第二电容器，在所述第三晶体管和所述第三电阻器中间的节点处，耦合在地与穿过所述第三晶体管的所述第三电流路径之间。

2.根据权利要求1所述的频率补偿电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管具有相同的宽度和相同的长度。

3.根据权利要求1所述的频率补偿电路，其特征在于，

所述第一电阻器和所述第二电阻器具有相同的电阻值，所述相同的电阻值是第一电阻值的两倍，并且

所述第三电阻器具有第二电阻值，所述第二电阻值等于所述第一电阻值除以所述电流镜像因子。

4.根据权利要求1所述的频率补偿电路，其特征在于，所述电流镜像因子是大于1的整数。

5.根据权利要求1所述的频率补偿电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管均是场效应晶体管。

6.根据权利要求1所述的频率补偿电路，其特征在于，所述电路还包括耦合到所述输出电流线的输出端口，所述输出端口被配置成在所述输出端口处提供设备的经调节信号。

7.根据权利要求6所述的频率补偿电路，其特征在于，所述设备是低压降调节器。

8.一种频率补偿电路，其特征在于，包括：

第一晶体管，具有穿过所述第一晶体管的第一电流路径，所述第一电流路径通过第一电阻器而以地为基准；

第二晶体管，具有穿过所述第二晶体管的第二电流路径，所述第二电流路径通过第二电阻器而以地为基准；

其中所述第一电流路径耦合到输入电流线，所述输入电流线被配置成由输入电流穿过；

其中所述第一晶体管以二极管布置被配置，其中所述第一晶体管的控制端子耦合到所述第一电流路径；

其中所述第二晶体管的控制端子耦合到所述第一晶体管的控制端子；

其中所述第二电流路径耦合到输出电流线，所述输出电流线被配置成由输出电流穿过；

其中所述输出电流经由电流镜像因子来镜像所述输入电流；

第一电容器，耦合在地与所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述控制端子之间；以及

第二电容器，在所述第二晶体管和所述第二电阻器中间的节点处，耦合在地与穿过所述第二晶体管的所述第二电流路径之间。

9.根据权利要求8所述的频率补偿电路，其特征在于，

所述第一电阻器具有第一电阻值，并且

所述第二电阻器具有第二电阻值，所述第二电阻值等于所述第一电阻值除以所述电流镜像因子。

10.根据权利要求8所述的频率补偿电路，其特征在于，所述电流镜像因子是大于1的整数。

11.根据权利要求8所述的频率补偿电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均是场效应晶体管。