[实用新型]一种输入欠压与过压保护电路

权利要求书

1.一种输入欠压与过压保护电路，其特征在于，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，电容C1、C2、C3，MOSFET Q1、Q2、Q3，稳压二极管ZD1、ZD2、ZD3；

所述MOSFET Q1分别连接电阻R1、R2、R4、R7，电容C1，MOSFET Q2，稳压二极管ZD1；

所述MOSFET Q2分别连接电阻R3、R4，电容C2，MOSFET Q1，MOSFET Q3，稳压二极管ZD2；

所述MOSFET Q3分别连接电阻R3、R4、R5、R6，电容C2、C3，MOSFET Q2，稳压二极管ZD2、ZD3；

所述稳压二极管ZD1、电容C1、电阻R2并联后，跨接于MOSFET Q1的源极和栅极之间；电阻R1一端连接直流电源正极DC+，另一端连接稳压二极管ZD1的负极，稳压二极管ZD1的正极连接流电源负极DC-；

所述稳压二极管ZD2、电容C2、电阻R4并联后，跨接于MOSFET Q2的源极和栅极之间；电阻R3一端连接直流电源正极DC+，另一端连接稳压二极管ZD2的负极，稳压二极管ZD2的正极连接流电源负极DC-；

所述稳压二极管ZD3、电容C3、电阻R6并联后，跨接于MOSFET Q3的源极和栅极之间；电阻R5一端连接直流电源正极DC+，另一端连接稳压二极管ZD3的负极，稳压二极管ZD3的正极连接流电源负极DC-；

所述电阻R7一端分别连接MOSFET Q1的漏极、MOSFET Q2的漏极、MOSFET Q3的漏极，另一端连接VCC/芯片使能端。

2.根据权利要求1所述的输入欠压与过压保护电路，其特征在于，所述电阻R1阻值为33千欧，R2阻值为2千欧,R3阻值为22千欧,R4阻值为14千欧,R5阻值为30千欧,R6的阻值为6.2千欧,R7的阻值为1千欧。

3.根据权利要求1所述的输入欠压与过压保护电路，其特征在于，所述电容C1、C2、C3均为16V 2.2uF的电容。

4.根据权利要求1所述的输入欠压与过压保护电路，其特征在于，所述MOSFET Q1、Q2、Q3均为2A 60V NPN型。

5.根据权利要求1至4任一所述的输入欠压与过压保护电路，其特征在于，所述稳压二极管ZD1、ZD2、ZD3均为10V的稳压二极管。