[实用新型]一种开关电路及开关装置

说明书

本申请的实施例公开了一种开关电路及开关装置，涉及开关技术领域，为提高开关电路中的金属‑氧化物半导体场效应晶体管的安全性而发明。所述开关电路，包括：第一开关驱动电路，所述第一开关驱动电路包括直流电源、第一限流电阻及金属‑氧化物半导体场效应晶体管，所述直流电源与所述第一限流电阻第一端连接，所述第一限流电阻的第二端与所述金属‑氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接，所述金属‑氧化物半导体场效应晶体管的漏极用于连接负载，金属‑氧化物半导体场效应晶体管的源极接地。本申请适用于将连接于开关电路的负载接入电源或与电源断开。

技术领域

本申请涉及开关技术领域，尤其涉及一种开关电路及开关装置。

背景技术

为能够方便地将负载接入电源系统或与电源系统断开，在电源系统中设置了开关电路，现有的开关电路由专用芯片、小型三极管或金属-氧化物半导体场效应晶体管，直接驱动功率金属-氧化物半导体场效应晶体管开启或关闭，这种方式在根本上是一种硬性驱动，功率金属-氧化物半导体场效应晶体管在开启过程中容易损坏，使得金属-氧化物半导体场效应晶体管的安全性较低。

实用新型内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种开关电路及开关装置，能够提高开关电路中的金属-氧化物半导体场效应晶体管的安全性。

本申请实施例提供一种开关电路，包括：第一开关驱动电路，所述第一开关驱动电路包括直流电源、第一限流电阻及金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述直流电源与所述第一限流电阻第一端连接，所述第一限流电阻的第二端与所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的漏极用于连接负载，金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极接地。

根据本申请实施例的一种具体实现方式，还包括第二开关驱动电路，所述第二开关驱动电路包括控制器及三极管开关单元电路，所述三极管开关单元电路的输入端与所述控制器的输出端连接，所述三极管开关单元电路的第一输出端与所述第一限流电阻的第二端连接，所述三极管开关单元电路的第二输出端接地。

根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述三极管开关单元电路包括：第一控制信号输入电路、第二控制信号输入电路及三极管，所述第一控制信号输入电路上设有第二限流电阻，所述第二控制信号输入电路上设有第三限流电阻，所述第二限流电阻的输入端与所述控制器的第一输出端连接，所述第二限流电阻的输出端与所述三极管的基极连接，所述第三限流电阻的输入端与所述控制器的第二输出端连接，所述第三限流电阻的输出端与所述三极管的基极连接，所述三极管的集电极与所述第一限流电阻第二端连接，所述三极管的发射极接地。

根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第一控制信号输入电路上还设有第一二极管，所述第一二极管的阳极与所述第二限流电阻的输出端连接，所述第一二极管的阴极与所述三极管的基极连接。

根据本申请实施例的一种具体实现方式，还包括：钳位电路，所述钳位电路的一端与第一节点相连，所述第一节点为所述第二限流电阻与所述第一二极管的之间的节点，所述钳位电路的另一端与所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的漏极相连。

根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述钳位电路包括：第二二极管，所述第二二极管的阳极连接于所述第一节点上，所述第二二极管的阴极与所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的漏极相连。

根据本申请实施例的一种具体实现方式，还包括：信号隔离器，所述信号隔离器连接于所述控制器与三极管开关单元电路之间。

根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述信号隔离器为光电耦合器、磁耦合器或电容耦合器；所述信号隔离器输入端与所述控制器连接，所述信号隔离器的输出端分别与所述第一控制信号输入电路中的第二限流电阻输入端及第二控制信号输入电路中的第三限流电阻输入连接。