[实用新型]一种由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器有效
| 申请号： | 202020764372.2 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN212517241U | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;费玉斌;关健;孙斯佳 | 申请（专利权）人： | 罕王微电子（辽宁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/113 | 分类号： | H01L41/113;H01L41/22;G01L1/16;G01L9/08 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 113000 辽宁省抚顺*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 晶圆键合 高温 高压 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，其特征在于：所述的由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，包括硅电阻层(1)，金属圆片(2)，金属薄膜(3)，键合界面(4)，金属连接层(5)；
其中：硅电阻层(1)为高温压力传感器电阻层，组成电桥，金属圆片(2)为高温压力传感器主体结构，为硅电阻层(1)提供衬底结构，金属圆片(2)通过数控机床机械加工而形成金属薄膜(3)，为感受压力金属薄膜，键合界面(4)是硅电阻层(1)与金属圆片(2)键合形成的键合界面，金属连接层(5)起到电路连接的作用。
2.按照权利要求1所述的由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，其特征在于：所述的硅电阻层(1)为高温压力传感器电阻层，组成的电桥为惠斯通电桥。
3.按照权利要求1所述的由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，其特征在于：所述的由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器整体为圆柱形或长方体结构。
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