[实用新型]一种用于驱动MOS管的高压浮栅型驱动电路有效

专利信息
申请号: 202020767431.1 申请日: 2020-05-11
公开(公告)号: CN211908692U 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 吴珏 申请(专利权)人: 中科芯集成电路有限公司
主分类号: H02P7/285 分类号: H02P7/285
代理公司: 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 代理人: 杨立秋
地址: 214000 江苏省无锡市滨湖区蠡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 驱动 mos 高压 浮栅型 电路
【权利要求书】:

1.一种用于驱动MOS管的高压浮栅型驱动电路,包括U线上桥驱动电路、U线下桥驱动电路和电机,其特征在于:所述U线上桥驱动电路包括电容CD11,电容CD11的一端通过二极管D1连接有15V电源,另一端接在电机相线上,所述二极管D1的负极连接有电阻R101,所述电阻R101的另一端接在电机的相线上,所述二极管D1的负极通过电阻R134连接有NPN晶体管Q11,所述NPN晶体管Q11的发射极通过电阻R70连接有U相驱动信号,NPN晶体管Q11的基极通过电阻R140连接有供电端VDDA,所述二极管D1的负极连接有PNP晶体管Q20,所述PNP晶体管Q20基极与NPN晶体管Q11的集电极连接,PNP晶体管Q20的集电极通过电阻R128连接在电机相线上且PNP晶体管Q20的集电极连接有PNP晶体管Q21和二极管D7;所述二极管D7的负极通过电阻R122与PNP晶体管Q21的发射极连接,PNP晶体管Q21的集电极接在电机相线上;所述电阻R122的一端分别通过电容C33、电阻R110和电阻R1112连接电机相线、N-MOS管V1和N-MOS管V2;所述N-MOS管V1和N-MOS管V2的漏极均连接电容CD,所述N-MOS管V1和N-MOS管V2的源极均与电机相线连接,电容CD11的另一端、电阻R101的另一端、电阻R128的另一端、PNP晶体管Q21的集电极接和电容C33均连接N-MOS管V1的源极;

所述U线下桥驱动电路包括NPN晶体管Q12和PNP晶体管Q24,所述NPN晶体管Q12的集电极与PNP晶体管Q24的基极连接,所述NPN晶体管Q12的集电极通过电阻R135连接15V电源,NPN晶体管Q12的发射极通过电阻R141接通有U相驱动信号;所述PNP晶体管Q24的集电极连接15V电源,PNP晶体管Q24的发射极连接有电阻R129、二极管D19和PNP晶体管Q25,所述二极管D19的负极通过电阻R123连接有PNP晶体管Q25的发射极,所述电阻R123分别通过电阻R112和电阻R113连接有N-MOS管V3和N-MOS管V4,且N-MOS管V3和N-MOS管V4的漏极分别连接N-MOS管V1和N-MOS管V2的源极;所述N-MOS管V3和N-MOS管V4漏极均与电机相线连接;所述电阻R123通过电容C14和电阻R55接地,所述N-MOS管V3和N-MOS管V4的源极、所述电阻R129、PNP晶体管Q25集电极均通过电阻R55接地,所述N-MOS管V1和N-MOS管V2的源极均通过电阻R40和R56接地,所述电阻R40的一端均连接N-MOS管V1和N-MOS管V2的源极,所述电阻R129、PNP晶体管Q25集电极、电容C14、N-MOS管V3和N-MOS管V4的源极、电阻R40均连接电容CD的另一端。

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