[实用新型]一种电机调速器温度控制电路

说明书

本实用新型公开了一种电机调速器温度控制电路，包括MOSFETQ1、MOSFETQ2和MOSFETQ3，所述MOSFETQ1的漏极连接电源VCC，MOSFETQ1的栅极连接PWM控制信号a，MOSFETQ1的源极连接三相电机的A相接口和MOSFETQ2的漏极，MOSFETQ2的栅极连接PWM控制信号b，MOSFETQ2的源极接地，三相电机的C相接口连接MOSFETQ3的漏极，MOSFETQ3的源极接地，本实用新型电机调速器温度控制电路通过降低导通电阻的大小，从而大大降低下桥的功耗，从而降低温升，保护电机免受温度升高的影响。

技术领域

本实用新型涉及电机技术领域，具体是一种电机调速器温度控制电路。

背景技术

现有的电子调速器的散热不利，导致电调内部温度升高，电子元器件过热，工作效率降低，甚至烧毁。新的解决方案可以保证新款电调比同类产品在相同的使用环境中温度降低4倍。

现有电调在调速的时候，MOS管处在开关状态中切换，在关闭的时候，会产生一个返电势能，这个势能需要释放掉。现有的解决方案是通过MOS管内部封装一个二极管，进行放电。这个方案的缺陷在于，二极管在放电的过程中，会产生压降，形成损耗。电流越大，损耗越大，导致MOS管发热，温度升高。要降温的话，需要加大电调板子体积，增加散热片，甚至采取水冷的冷却方案，而这样就进一步导致损耗更大，效率降低。且体积更大的电调在实际应用中就收到了限制，比如在无人机上，不能使用太大太重的电调。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种电机调速器温度控制电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种电机调速器温度控制电路，包括MOSFETQ1、MOSFETQ2和MOSFETQ3，所述MOSFETQ1的漏极连接电源VCC，MOSFETQ1的栅极连接PWM控制信号a，MOSFETQ1的源极连接三相电机的A相接口和MOSFETQ2的漏极，MOSFETQ2的栅极连接PWM控制信号b，MOSFETQ2的源极接地，三相电机的C相接口连接MOSFETQ3的漏极，MOSFETQ3的源极接地。

作为本实用新型的进一步方案：所述MOSFETQ1为P-MOSFET。

作为本实用新型的进一步方案：所述MOSFETQ2为P-MOSFET。

作为本实用新型的进一步方案：所述MOSFETQ3为P-MOSFET。

作为本实用新型的进一步方案：所述MOSFETQ1、MOSFETQ2和MOSFETQ3上均连接有续流二极管。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型电机调速器温度控制电路通过降低导通电阻的大小，从而大大降低下桥的功耗，从而降低温升，保护电机免受温度升高的影响。

附图说明

图1为本实用新型的整体示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1：请参阅图1，本实用新型实施例中，一种电机调速器温度控制电路，包括MOSFETQ1、MOSFETQ2和MOSFETQ3，所述MOSFETQ1的漏极连接电源VCC，MOSFETQ1的栅极连接PWM控制信号a，MOSFETQ1的源极连接三相电机的A相接口和MOSFETQ2的漏极，MOSFETQ2的栅极连接PWM控制信号b，MOSFETQ2的源极接地，三相电机的C相接口连接MOSFETQ3的漏极，MOSFETQ3的源极接地。