[实用新型]显示屏和显示设备有效
申请号: | 202020792105.6 | 申请日: | 2020-05-13 |
公开(公告)号: | CN212392246U | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 李文辉;戴天明;章志军;杨磊;胡永海;尚琼 | 申请(专利权)人: | 深圳柔宇显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示屏 显示 设备 | ||
本实用新型公开了一种显示屏,包括基板底衬和依次层叠设置在所述基板底衬上的屏蔽层、TFT阵列层和显示层,屏蔽层用于屏蔽基板底衬上的静电荷对TFT阵列层的影响。本申请通过在在显示屏的TFT阵列层和基板底衬之间设有屏蔽层,该屏蔽层对TFT阵列层起到电磁保护的作用。同时本申请还公开了一种显示设备。
技术领域
本实用新型涉及显示设备领域,特别是涉及显示屏、显示设备。
背景技术
随着信息传输速率的几何式增长,显示设备的需求也随着手机、平板电脑等电子设备的普及而增加。传统显示设备的制作中,TFT及其电路直接制作于基板上,这就导致在生产/搬送/检查/使用过程,受环境/设备/材料/人员等接触/非接触影响,如贴合,触摸,搬送摩擦产生静电等,容易发生静电击伤,同时在使用过程显示屏可能受电磁干扰,影响显示质量。
实用新型内容
本实用新型提供一种显示屏,在显示屏的TFT阵列层和基板底衬之间设有屏蔽层,该屏蔽层对TFT阵列层起到电磁保护的作用。
本实用新型提供一种显示屏,包括基板底衬和依次层叠设置在所述基板底衬上的屏蔽层、TFT阵列层和显示层,所述屏蔽层用于屏蔽所述基板底衬上的静电荷对所述TFT阵列层的影响。屏蔽层的设计避免了TFT阵列层直接与基板底衬直接设置,防止其被静电击伤。
在一个实施例中,所述屏蔽层与所述TFT阵列层中的共通电极电连接。通过将屏蔽层与TFT阵列层中的共通电极电连接,一方面使得屏蔽层内聚集的电荷向外传输,防止由于静电荷集聚造成对TFT阵列层的静电击伤,另一方面还可以改善共通电极的电压降。
在一个实施例中,所述屏蔽层与所述显示层的阴极电连接,用于调节所述阴极的电压降。通过屏蔽层与显示层的阴极电连接,从而调整显示层阴极的电压降,从而确保显示层中载流子的注入传导。
在一个实施例中,所述显示屏还包括封装层,所述封装层盖设于所述显示层上方与所述基板底衬形成一个封装空间,所述封装空间用于容置所述屏蔽层、所述TFT阵列层和所述显示层。封装层的设计在于对其封装空间内部的部件进行保护,避免外部水汽等其他异物进入到封装空间内部。
在一个实施例中,所述基板底衬包括显示区,所述封装层盖设于所述显示区上方,所述TFT阵列层位于所述显示区内,所述屏蔽层覆盖所述显示区。屏蔽层对显示区进行覆盖,隔绝基板底衬对TFT阵列层之间的接触,避免静电荷的产生和击伤。
在一个实施例中,所述基板底衬还包括接线区,所述TFT阵列层的电路和所述屏蔽层延伸至所述接线区。TFT阵列层的电路和外部控制电路连接,在接线区处同样设置屏蔽层在于降低基本底衬上电荷对接线区处的电路的影响。
在一个实施例中,所述屏蔽层为一整层连续面。屏蔽层采用整层连续面结构,形成对显示区的全覆盖,彻底隔绝基板底衬对TFT阵列层之间的接触,避免静电荷的产生和击伤。
在一个实施例中,所述屏蔽层设有多个镂空孔。屏蔽层为带有镂空孔的结构层,此时的屏蔽层的更容易发生弯折,便于柔性基板的设计制作。
在一个实施例中,所述显示屏还包括触控层,触控层包括多个触控电极,屏蔽层包括多个相互绝缘的屏蔽区域,每一屏蔽区域与一相应的触控电极电连接。每个屏蔽区域均与相应的触控电极电连接,并与相邻的屏蔽区域保持绝缘。
第二方面,本申请提供一种显示设备,包括柔性线路板和上述的显示屏、所述柔性线路板通过覆晶薄膜与所述TFT阵列层的电路连接。柔性线路板通过覆晶薄膜实现对TFT阵列层中电路的连接,实现对TFT阵列层中电极的控制。
本申请所提供的显示屏,通过在其TFT阵列层和基板底衬之间设置能够静电保护的屏蔽层,从而对对TFT阵列层起到电磁保护的作用,避免基板底衬上的静电对TFT阵列层造成影响。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的