[实用新型]适用于中压单芯电缆的阻水型屏蔽结构

权利要求书

1.一种适用于中压单芯电缆的阻水型屏蔽结构，其特征在于，包括导体(1)、导体屏蔽层(2)、交联聚乙烯绝缘层(3)、绝缘半导电屏蔽层(4)、半导电绝缘缓冲阻水带(5)、屏蔽防水层(6)、内衬层(7)、铠装层(8)、外护层(9)；

所述导体(1)沿径向向外的方向依次设置有导体屏蔽层(2)、交联聚乙烯绝缘层(3)、绝缘半导电屏蔽层(4)、半导电绝缘缓冲阻水带(5)、屏蔽防水层(6)、内衬层(7)、铠装层(8)、外护层(9)，内衬层(7)采用无卤低烟材料；

所述半导电绝缘缓冲阻水带(5)采用半导电绝缘缓冲阻水带重叠绕包结构；

所述屏蔽防水层(6)采用压纹聚乙烯型单面铜塑复合带纵包结构，所述屏蔽防水层(6)包括塑料面以及金属面，其中，所述塑料面朝外与内衬层(7)接触，所述金属面朝内包覆在半导电绝缘缓冲阻水带(5)上；

所述导体屏蔽层(2)采用导体用过氧化物交联型半导电屏蔽料挤包结构；

所述铠装层(8)采用非磁性金属带材结构或非磁性金属丝结构。

2.根据权利要求1所述的适用于中压单芯电缆的阻水型屏蔽结构，其特征在于，所述导体(1)采用分层正规绞合结构。

3.根据权利要求1所述的适用于中压单芯电缆的阻水型屏蔽结构，其特征在于，所述交联聚乙烯绝缘层(3)挤包在导体屏蔽层(2)的外部；

所述交联聚乙烯绝缘层(3)偏心度≤8％。

4.根据权利要求1所述的适用于中压单芯电缆的阻水型屏蔽结构，其特征在于，所述绝缘半导电屏蔽层(4)采用绝缘用过氧化物交联型半导电屏蔽料的挤包结构。

5.根据权利要求1所述的适用于中压单芯电缆的阻水型屏蔽结构，其特征在于，所述绝缘半导电屏蔽层(4)粘接在交联聚乙烯绝缘层(3)的外部。

6.根据权利要求1所述的适用于中压单芯电缆的阻水型屏蔽结构，其特征在于，所述屏蔽防水层(6)的金属面为铜带，所述铜带厚度不小于0.1mm，所述屏蔽防水层(6)总厚度不小于0.16，所述塑料面和金属面的重叠部分不小于6mm。

7.根据权利要求1所述的适用于中压单芯电缆的阻水型屏蔽结构，其特征在于，所述内衬层(7)、外护层(9)分别挤包在铠装层(8)的内部、外部。

8.一种适用于中压单芯电缆的阻水型屏蔽结构，其特征在于，包括导体(1)、导体屏蔽层(2)、交联聚乙烯绝缘层(3)、绝缘半导电屏蔽层(4)、半导电绝缘缓冲阻水带(5)、屏蔽防水层(6)、内衬层(7)、铠装层(8)、外护层(9)；

所述导体(1)沿径向向外的方向依次设置有导体屏蔽层(2)、交联聚乙烯绝缘层(3)、绝缘半导电屏蔽层(4)、半导电绝缘缓冲阻水带(5)、屏蔽防水层(6)、内衬层(7)、铠装层(8)、外护层(9)，内衬层(7)采用无卤低烟材料；

所述半导电绝缘缓冲阻水带(5)采用半导电绝缘缓冲阻水带重叠绕包结构；

所述屏蔽防水层(6)采用压纹聚乙烯型单面铜塑复合带纵包结构，所述屏蔽防水层(6)包括塑料面以及金属面，其中，所述塑料面朝外与内衬层(7)接触，所述金属面朝内包覆在半导电绝缘缓冲阻水带(5)上；

所述导体(1)采用分层正规绞合结构；

所述导体屏蔽层(2)采用导体用过氧化物交联型半导电屏蔽料挤包结构；

所述交联聚乙烯绝缘层(3)挤包在导体屏蔽层(2)的外部；

所述交联聚乙烯绝缘层(3)偏心度≤8％；

所述绝缘半导电屏蔽层(4)采用绝缘用过氧化物交联型半导电屏蔽料的挤包结构；

所述绝缘半导电屏蔽层(4)粘接在交联聚乙烯绝缘层(3)的外部；

所述屏蔽防水层(6)的金属面为铜带，所述铜带厚度不小于0.1mm，所述屏蔽防水层(6)总厚度不小于0.16，所述塑料面和金属面的重叠部分不小于6mm；

所述铠装层(8)采用非磁性金属带材结构或非磁性金属丝结构；

所述内衬层(7)、外护层(9)分别挤包在铠装层(8)的内部、外部。