[实用新型]一种超晶格半导体加热结构有效
申请号: | 202020809122.6 | 申请日: | 2020-05-15 |
公开(公告)号: | CN212108956U | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 张东升;胡全明 | 申请(专利权)人: | 河南明东新能源科技开发有限公司 |
主分类号: | F24H1/10 | 分类号: | F24H1/10;F24H9/18;F24H9/00 |
代理公司: | 郑州先风知识产权代理有限公司 41127 | 代理人: | 邢月 |
地址: | 464000 河南省信阳市市辖*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶格 半导体 加热 结构 | ||
1.一种超晶格半导体加热结构,其特征在于:包括管体和电极圈,所述的管体中部为螺旋状,所述的管体外表面设置有发热膜,所述的发热膜两端分别设置有银电极,所述的银电极用于连接电源线,所述的银电极上设置有所述的电极圈,所述的管体一端设置有进水口,所述的管体另一端设置有出水口。
2.根据权利要求1所述的超晶格半导体加热结构,其特征在于:所述的电极圈包括开口圆环和设置于所述的开口圆环两开口端的安装片,所述的安装片上设置有螺纹孔,所述的螺纹孔内设置有螺丝,所述的螺丝的螺头与所述的安装片之间依次设置有弹簧垫片和平垫片,所述的螺丝穿过螺孔端设置有螺母。
3.根据权利要求2所述的超晶格半导体加热结构,其特征在于:所述的管体的材质为石英玻璃、微晶玻璃或陶瓷。
4.根据权利要求3所述的超晶格半导体加热结构,其特征在于:所述的发热膜为涂覆在所述的管体外表面的超晶格发热材料形成的超晶格半导体发热膜。
5.根据权利要求4所述的超晶格半导体加热结构,其特征在于:所述的超晶格半导体发热膜外表面设置有高温绝缘涂层。
6.根据权利要求5所述的超晶格半导体加热结构,其特征在于:所述的管体内壁设置有防水垢纳米涂层。
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