[实用新型]一种导电芯板有效
申请号: | 202020813279.6 | 申请日: | 2020-05-15 |
公开(公告)号: | CN212934630U | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 张彩霞;陈影;孙明亮;吴仕梁;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/044 | 分类号: | H01L31/044;H01L31/048;H01L31/05;H01L31/18;H02S40/34 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 贺翔 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 导电 | ||
本实用新型公布一种导电芯板,所述导电芯板从上到下依次是绝缘材料层、金属导电线路层、封装胶膜层、背板层,各层之间通过低温加热的方式粘接;所述金属导电线路层和封装胶膜层复合粘结,在所述金属导电线路层的上面设有导电线路图;所述绝缘材料层上设有若干小孔,孔的位置与电池片上的电极点位置对应;所述导电线路图以设定的单元图案为基础,将所述单元图案在电池片上方阵列排布。本实用新型导电芯板采用纵向基数列13*12切半电池排布方式,实现基数列电池排布,同时二极管接管电池数量相等,接线盒安装方向与组件短边平行,与常规组件接线盒位置一样,这种连接方式如果是焊带组件几乎不可能实现,同时可有效减少设备改造费用。
技术领域
本实用新型涉及新型MWT太阳能电池生产设备技术领域,尤其是一种导电芯板。
背景技术
太阳能光伏组件由于其节省能源、降低污染等特性,使其使用越来越广泛。MWT型背接触组件,由于其节省银浆、高可靠性等特点,使用也越来越广泛。应市场趋势发展,目前光伏行业组件向大面积大尺寸方向发展,MWT技术也不例外,也在不断的开发大面积大尺寸组件。大尺寸大面积其主要方向是扩大电池片面积,另外一个方向是可以通过扩大电池片数量排布实现高功率,这就需要对电池片排列方式进行创新,业界基本都是偶数列方向扩展,基数列由于二极管需要置入的电池位置受限,因此对电池互联电流路径有较高的要求,但是MWT技术由于是导电线路PCB板式的设计,因此在这方面又很大的技术优势,可灵活的设计电路,并可减少其他的如设备投入,组件内部额外的二极管布线垫汇流带增加绝缘层等问题。
常规光伏组件大都是6*10,6*12,6*24偶数排阵列,这种情况下二极管好布线,由于市场向大尺寸组件方向发展,因此会设计8*10,8*12,8*24阵列等组件,但是如果实际情况由于设备的容纳空间的原因,无法实验增加2排电池的情况。13*12或13*10的电池排列阵列基于传统焊接技术很难实现,或者二极管布线要增加较长较厚的绝缘层,制程加工变得超级复杂,这样限制了高效组件的发展和实施。
实用新型内容
为了解决上述背景技术中的问题,本实用新型的目的是提供一种导电芯板及制造方法,较常规焊接组件变换电池片排布方式,可减少设备改造费用,几乎不增加额外的生产工序,易加工,无需要升级设备,适合大批量生产,同时可提高组件功率,实现450瓦的高效组件,充分发挥了MWT组件的优势。
本实用新型一种导电芯板,所述导电芯板从上到下依次是绝缘材料层、金属导电线路层、封装胶膜层、背板层,各层之间通过低温加热的方式粘接;
所述金属导电线路层和封装胶膜层复合粘结,在所述金属导电线路层的上面设有导电线路图;所述绝缘材料层上设有若干小孔,孔的位置与电池片上的电极点位置对应;所述导电线路图以设定的单元图案为基础,将所述单元图案在电池片上方阵列排布。
进一步的,所述单元图案为线路单元采用喇叭口单元和正负极敞开分割单元的形式。
进一步的,所述单元图案为半电池的线路结构,将所述单元图案横向方向为正向,沿导电芯板横向和纵向方向重复所述单元图案。相邻的半电池依次串联.
作为一种优选,所述背板为高分子聚合板,所述金属导电线路层为铜铝箔层或铜箔层,所述封装胶膜层EVA层或POE层,所述绝缘材料层为EPE层。
两排电池串的导电单元线路中间预留二极管管线位置,插入二极管导电铜箔线。
进一步的,如果电池正负极点位置不在一条直线上,采用互相错开的纵横排列。
本实用新型还提供上述导电芯板的制造方法,所述方法包括以下步骤:
采用铜箔或铜铝箔材质制作金属导电线路层,取相同宽幅的铜箔或铜铝箔与封装胶膜层复合在一起,使用固体激光器进行刻线,在覆有胶膜的铜箔或铜铝箔上刻蚀特定的导电线路图形;
去除刻蚀后的铜箔或铜铝箔,形成特定的导电通道以及绝缘通道,即导电线路图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的