[实用新型]一种单口控制的H桥电机驱动电路及电器有效

专利信息
申请号: 202020814207.3 申请日: 2020-05-15
公开(公告)号: CN212086097U 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 谢海军 申请(专利权)人: 世强先进(深圳)科技股份有限公司
主分类号: H02P7/03 分类号: H02P7/03;H02M1/088;H02M1/38
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 代理人: 郭方伟
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道雪岗路*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 单口 控制 电机 驱动 电路 电器
【说明书】:

实用新型涉及一种单口控制的H桥电机驱动电路及电器。H桥电机驱动电路由第一开关管NMOS1、第二开关管NMOS2、第三开关管NMOS3和第四开关管NMOS4组成,第一半桥驱动芯片IC1分别控制第一开关管NMOS1和第三开关管NMOS3的通断,第二半桥驱动芯片IC2分别控制第二开关管NMOS2和第四开关管NMOS4的通断;同一个PWM输出端口分别连接第一半桥驱动芯片IC1和第二半桥驱动芯片IC2,且PWM输出端口通过反相器IC3连接第二半桥驱动芯片IC2。本实用新型仅需一个I/O口即可实现对电机正反转的控制,节省主控器资源;同时有效地防止H桥电机驱动电路的上下MOS管同时直通而产生的大电流损坏MOS管,提高产品的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及电机驱动领域,更具体地说,涉及一种单口控制的H桥电机驱动电路及电器。

背景技术

现在技术中常使用H桥电路去驱动电机的正转和反转,这种H桥电路都是用主控器的两个I/O口去控制四个MOS管的开通和关断,从而达到控制电机的正转和反转的目的。而使用此种电路会有两个不利之处:一是主控器的资源占用多,二是主控需要两个I/O口去控制MOS管的开关和关断,会存在H 桥电路的上下两个MOS管直通的现象,导致MOS管损坏。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种单口控制的H桥电机驱动电路及电器。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种单口控制的H 桥电机驱动电路,包括第一半桥驱动芯片IC1、第二半桥驱动芯片IC2、第一开关管NMOS1、第二开关管NMOS2、第三开关管NMOS3、第四开关管NMOS4、反相器IC3;

所述第一半桥驱动芯片IC1的输入引脚IN连接PWM输出端口,所述第一半桥驱动芯片IC1的供电引脚VDD连接第一供电电源,所述第一半桥驱动芯片IC1的接地引脚GND接地;所述第一半桥驱动芯片IC1的高电平输出引脚 HO连接所述第一开关管NMOS1的栅极,所述第一半桥驱动芯片IC1的低电平输出引脚LO连接所述第三开关管NMOS3的栅极;所述第一开关管NMOS1的漏极连接第二供电电源,所述第一开关管NMOS1的源极连接电机的第一输入端;所述第三开关管NMOS3的漏极连接所述电机的第一输入端,所述第三开关管 NMOS3的源极接地;

所述PWM输出端口连接所述反相器IC3的输入端,所述反相器IC3的输出端连接所述第二半桥驱动芯片IC2的输入引脚IN,所述反相器IC3的供电端连接第三供电电源,所述反相器IC3的接地端接地;所述第二半桥驱动芯片IC2的供电引脚VDD连接所述第一供电电源,所述第二半桥驱动芯片IC2 的接地引脚GND接地;所述第二半桥驱动芯片IC2的高电平输出引脚HO连接所述第二开关管NMOS2的栅极,所述第二半桥驱动芯片IC2的低电平输出引脚LO连接所述第四开关管NMOS4的栅极;所述第二开关管NMOS2的漏极连接所述第二供电电源,所述第二开关管NMOS2的源极连接电机的第二输入端;所述第四开关管NMOS4的漏极连接所述电机的第二输入端,所述第四开关管 NMOS4的源极接地;

若所述PWM输出端口输出高电平,所述第一半桥驱动芯片IC1的高电平输出引脚HO输出高电平,所述第一开关管NMOS1导通;所述第一半桥驱动芯片IC1的低电平输出引脚LO输出低电平,所述第三开关管NMOS3关断;所述 PWM输出端口输出高电平经所述反相器IC3反向后输出低电平,所述第二半桥驱动芯片IC2的高电平输出引脚HO输出低电平,所述第二开关管NMOS2关断,所述第二半桥驱动芯片IC2的低电平输出引脚LO输出高电平,所述第四开关管NMOS4导通,所述电机按照第一预设方向转动;

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