[实用新型]一种可控制焊接材料厚度的芯片封装结构

说明书

本实用新型公开一种可控制焊接材料厚度的芯片封装结构,包括引线框架、芯片和焊接材料，还包括支撑围挡，所述支撑围挡为首尾相接的框形围挡；所述支撑围挡的两侧分别抵接所述芯片和所述引线框架；所述焊接材料填充于所述芯片与所述引线框架之间，以用于将所述芯片粘结于所述引线框架；本实用新型的可控制焊接材料厚度的芯片封装结构，通过在芯片与引线框架之间设置首尾相接的框形的支撑围挡，可避免芯片倾斜，可保证焊接结合材层厚度达标，从而提高芯片与引线框架之间的焊接质量。

技术领域

本实用新型涉及半导体焊接封装技术领域，尤其涉及一种可控制焊接材料厚度的芯片封装结构。

背景技术

引线框架是集成电路的芯片载体。在半导体芯片封装结构中，芯片一般通过焊接结合材料焊接(粘贴)于引线框架，芯片焊接于引线框架的方法包括金属合金焊接法(或称低熔点焊接法)和树脂粘贴法。

现有的芯片封装结构中，如图1所示，在芯片20焊接于引线框架10的过程中，焊接材料30在固化之前具有流动性，容易导致固化后的焊接材料30厚度不均，从而导致芯片20倾斜角度过大；另外，还容易导致焊接材料的厚度无法达到预设厚度，从而导致芯片与引线框架之间的间距不达标，如此，会影响后续的金属线焊线及芯片封装。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的在于：提供一种可控制焊接材料厚度的芯片封装结构，其可避免芯片倾斜，可保证焊接结合材层厚度达标。

为达上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种可控制焊接材料厚度的芯片封装结构，包括引线框架、芯片和焊接材料；还包括支撑围挡，所述支撑围挡为首尾相接的框形围挡；所述支撑围挡的两侧分别抵接所述芯片和所述引线框架；所述焊接材料填充于所述芯片与所述引线框架之间，以用于将所述芯片粘结于所述引线框架。

作为优选，所述支撑围挡为等厚度的围挡，所述芯片的底面与所述引线框架的顶面平行。

作为优选，在所述芯片封装结构的厚度方向上，所述支撑围挡的投影位于所述芯片的投影内。

作为优选，所述支撑围挡的外侧边围合形成的区域的面积为围挡面积，所述围挡面积小于所述芯片的面积。

作为优选，所述围挡面积与所述芯片的面积之间的比值为0.7至0.95。

作为优选，所述支撑围挡为矩形的支撑围挡。

作为优选，所述支撑围挡固定于所述引线框架。

作为优选，所述支撑围挡为高温挥发的固体支撑围挡。

作为优选，还包括防溢框和连接件，所述防溢框大于所述芯片；所述支撑围挡、所述芯片位于所述防溢框内，所述支撑围挡与所述防溢框通过所述连接件连接。

本实用新型的有益效果为：该可控制焊接材料厚度的芯片封装结构，其通过在芯片与引线框架之间设置首尾相接的框形的支撑围挡，可避免芯片倾斜，可保证焊接结合材层厚度达标，从而提高芯片与引线框架之间的焊接质量。

附图说明

下面根据附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。

图1为现有技术中芯片与引线框架的结合结构示意图

图2为本实用新型实施例所述支撑围挡与所述引线框架的配合示意图；

图3为图2中A-A方向剖视图；

图4为本实用新型其一实施例所述芯片封装结构的结构示意图；

图5为图4中B-B方向剖视图；

图6为本实用新型另一实施例所述芯片封装结构的剖视图。