[实用新型]一种半导体功率器件结构

权利要求书

1.一种半导体功率器件结构，包括有源区，所述有源区内包括若干个相互并联的器件元胞单元，所述器件元胞单元包括第一导电类型的衬底及位于所述衬底上的第一导电类型的外延层，所述外延层内设置有沟槽，所述沟槽从所述外延层表面延伸至其内部，其特征在于：

所述沟槽中填充有栅极多晶硅和浮栅多晶硅，所述栅极多晶硅与所述沟槽的侧壁隔离有隔离氧化层，所述栅极多晶硅与所述浮栅多晶硅之间隔离有阻挡氧化层，所述浮栅多晶硅与所述沟槽的侧壁及底壁隔离有栅氧化层；

所述外延层的表面还设置有第二导电类型的第一掺杂区以及位于所述第一掺杂区表面的第一导电类型的第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区分别与所述沟槽的外侧壁接触，所述第二掺杂区的底部位于所述浮栅多晶硅的顶部之下。

2.根据权利要求1所述的半导体功率器件结构，其特征在于，所述沟槽下方的所述外延层内还设置有第二导电类型的第三掺杂区，所述第三掺杂区与所述沟槽底部接触。

3.根据权利要求1所述的半导体功率器件结构，其特征在于，还包括覆盖在所述外延层表面的第一金属层，所述第一金属层连接所述第二掺杂区与栅极多晶硅，所述第一金属层与所述第二掺杂区欧姆接触。

4.根据权利要求1所述的半导体功率器件结构，其特征在于，还包括覆盖在所述衬底表面的第二金属层，所述第二金属层与所述衬底欧姆接触。

5.根据权利要求1所述的半导体功率器件结构，其特征在于，所述隔离氧化层为SiO2，和/或，所述栅氧化层为SiO2，和/或，所述阻挡氧化层为SiO2。

6.根据权利要求1所述的半导体功率器件结构，其特征在于，所述沟槽的深度大于所述第一掺杂区的深度。

7.根据权利要求2所述的半导体功率器件结构，其特征在于，所述第三掺杂区的宽度不小于所述沟槽的宽度。