[实用新型]一种用于开关电源的低压振荡器电路

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1.一种用于开关电源的低压振荡器电路，包括P沟道增强型MOS管PM1-PM8、PM10-PM12，N沟道增强型MOS管NM1-NM13，电容C1，反相器INV1-INV6，或非门NOR1-NOR2，电流源IDC1，以及VCC输入端口、OSCON逻辑输入端口、VREF输入端口和CLK输出端口，其特征在于：

所述P沟道增强型MOS管PM1源极连接VCC输入端口，漏极栅极连接P沟道增强型MOS管PM2的漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM8的栅极、P沟道增强型MOS管PM10源极和N沟道增强型MOS管NM1漏极；所述P沟道增强型MOS管PM2源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM3-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极，栅极连接OSCON输入端口、N沟道增强型MOS管NM1栅极和反相器INV1输入端；所述P沟道增强型MOS管PM3源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM11源极和P沟道增强型MOS管PM12源极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM4-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM4源极连接VCC输入端口，漏极连接N沟道增强型MOS管NM6-NM7漏极和反相器INV3输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3栅极、P沟道增强型MOS管PM5-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM5源极连接VCC输入端口，漏极连接N沟道增强型MOS管NM8-NM9漏极、N沟道增强型MOS管NM10栅极和电容C2一端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM4栅极、P沟道增强型MOS管PM6-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM6源极连接VCC输入端口，漏极连接N沟道增强型MOS管NM10-NM11漏极、反相器INV2输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM5栅极、P沟道增强型MOS管PM7-PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM7源极连接VCC输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM8源极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM6栅极、P沟道增强型MOS管PM8栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；所述P沟道增强型MOS管PM8源极连接P沟道增强型MOS管PM7漏极，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12栅极、N沟道增强型MOS管NM12-NM13漏极和电容C1的一端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM7栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和P沟道增强型MOS管PM10源极；其中P沟道增强型MOS管PM1、P沟道增强型MOS管PM3-PM8构成电流镜电路，主要用来镜像电流源IDC1产生的偏置电流；P沟道增强型MOS管PM2在电路中做开关管使用；

所述N沟道增强型MOS管NM1源极连接P沟道增强型MOS管PM10漏极和电流源IDC1的一端，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM8栅极和P沟道增强型MOS管PM10源极，栅极连接OSCON输入端口、P沟道增强型MOS管PM2栅极和反相器INV1输入端；所述P沟道增强型MOS管PM10源极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极栅极、P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM3-PM8栅极和N沟道增强型MOS管NM1漏极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM1源极和电流源IDC1的一端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM11的栅极；所述电流源IDC1一端连接N沟道增强型MOS管NM1源极和P沟道增强型MOS管PM10的漏极，另一端接地；其中N沟道增强型MOS管NM1和P沟道增强型MOS管PM10构成传输门结构电路，当OSCON端口输入高电平时，传输门打开，P沟道增强型MOS管PM1漏极与电流源IDC1导通，为电流镜电路提供偏置电流，当OSCON端口输入低电平时，传输门关闭，P沟道增强型MOS管PM1漏极与电流源IDC1不导通，电流镜电路不工作；

所述P沟道增强型MOS管PM11源极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极和P沟道增强型MOS管PM12源极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM2漏极栅极、N沟道增强型MOS管NM3漏极和N沟道增强型MOS管NM4栅极，栅极连接VREF输入端口；所述P沟道增强型MOS管PM12源极连接P沟道增强型MOS管PM11源极和P沟道增强型MOS管PM3漏极，漏极连接N沟道增强型MOS管NM4、NM5漏极和N沟道增强型MOS管NM6栅极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM8漏极、N沟道增强型MOS管NM12-NM13漏极和电容C1一端；所述N沟道增强型MOS管NM2源极接地，漏极栅极连接P沟道增强型MOS管PM11漏极、N沟道增强型MOS管NM3漏极和N沟道增强型MOS管NM4栅极；所述N沟道增强型MOS管NM3源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM11漏极、N沟道增强型MOS管NM2漏极栅极和N沟道增强型MOS管PM11漏极，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM5、NM7、NM8、NM11、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM4源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12漏极、N沟道增强型MOS管NM5漏极和N沟道增强型MOS管NM6栅极，栅极连接P沟道增强型MOS管PM11漏极、N沟道增强型MOS管NM2漏极栅极和N沟道增强型MOS管NM3漏极；所述N沟道增强型MOS管NM5源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12漏极、N沟道增强型MOS管NM4漏极和N沟道增强型MOS管NM6栅极，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM7、NM8、NM11、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM6源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型MOS管NM7漏极和反相器INV3输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM12漏极、N沟道增强型MOS管NM4、NM5漏极；所述N沟道增强型MOS管NM7源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型MOS管NM6漏极和反相器INV3输入端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM8、NM11、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM8源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM5漏极、N沟道增强型MOS管NM9漏极、N沟道增强型MOS管NM10栅极和电容C2一端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM11、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM9源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM5漏极、N沟道增强型MOS管NM8漏极、N沟道增强型MOS管NM10栅极和电容C2的一端，栅极连接或非门NOR1输出端、NOR2一输入端、反相器INV5输入端和反相器INV6输入端；所述N沟道增强型MOS管NM10源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM6漏极、N沟道增强型MOS管NM11漏极和反相器INV2输入端，栅极连接P沟道增强型MOS管PM5漏极、N沟道增强型MOS管NM8-NM9漏极和电容C2的一端；所述N沟道增强型MOS管NM11源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM6漏极、N沟道增强型MOS管NM10漏极和反相器INV2输入端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM12的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM12源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12栅极、P沟道增强型MOS管PM8漏极、N沟道增强型MOS管NM13漏极和电容C1一端，栅极连接反相器INV1的输出端、N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11的栅极；所述N沟道增强型MOS管NM13源极接地，漏极连接P沟道增强型MOS管PM12栅极、P沟道增强型MOS管PM8漏极、N沟道增强型MOS管NM12漏极和电容C1一端，栅极连接反相器INV6输出端；所述电容C1一端连接P沟道增强型MOS管PM12栅极、P沟道增强型MOS管PM8漏极、N沟道增强型MOS管NM12漏极和N沟道增强型MOS管NM13漏极，另一端接地；所述电容C2一端连接P沟道增强型MOS管PM5漏极、N沟道增强型MOS管NM8、NM9漏极和N沟道增强型MOS管NM10栅极，另一端接地；其中P沟道增强型MOS管PM11、PM12、N沟道增强型MOS管NM2、NM4、NM6与上述P沟道增强型MOS管PM1、PM3、PM4构成二级比较器电路，主要将VREF输入端电压和P沟道增强型MOS管PM12栅极电压作比较，并将比较结果通过P沟道增强型MOS管PM4漏极输出；所述N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12主要做开关管使用，当OSCON输入端输入低电平，通过反相器INV1后变成高电平，可以将开关管N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12打开，关断电路；其中电容C1主要作用为PM12栅极输入端口提供稳压作用，电容C2作为充放电电容给N沟道增强型MOS管NM10的栅极提供电压使用；

所述反相器INV1输入端连接OSCON输入端口和P沟道增强型MOS管PM2栅极，输出端连接N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12栅极；所述反相器INV2输入端连接P沟道增强型MOS管PM6漏极、N沟道增强型MOS管NM10和NM11漏极，输出端连接或非门NOR2的另一输入端；所述反相器INV3输入端连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型MOS管NM6和NM7漏极，输出端连接反相器INV4输入端；所述反相器INV4输入端连接反相器INV3的输出端，输出端连接或非门NOR1的一输入端；所述反相器INV5输入端连接或非门NOR1的输出端、NOR2的一输入端、反相器INV6的输入端和N沟道增强型MOS管NM9栅极，输出端连接CLK输出端口；所述反相器INV6输入端连接或非门NOR1的输出端、NOR2的一输入端、反相器INV5的输入端和N沟道增强型MOS管NM9栅极，输出端连接N沟道增强型MOS管NM13栅极；所述或非门NOR1的一输入端连接反相器INV4的输出端，另一输入端连接或非门NOR2的输出端，输出端连接或非门NOR2的一输入端、反相器INV5的输入端、反相器INV6的输入端和N沟道增强型MOS管NM9栅极；所述或非门NOR2的一输入端连接或非门NOR1的输出端、反相器INV5的输入端、反相器INV6的输入端和N沟道增强型MOS管NM9栅极，另一输入端连接反相器INV2的输出端，输出端连接或非门NOR1的另一输出端；反相器INV1主要将OSCON输入端信号反相后传输到开关管N沟道增强型MOS管NM3、NM5、NM7、NM8、NM11、NM12栅极；反相器INV2-INV6，或非门NOR1-NOR2共同构成振荡器电路逻辑信号处理电路，将运放电路产生的模拟信号转化成数字信号。