[实用新型]一种晶圆级真空封装的MEMS晶振有效
| 申请号： | 202020842154.6 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN212532294U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 潘盛轩 | 申请（专利权）人： | 加高电子（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;H03H9/02;H03H9/19 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518103 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 真空 封装 mems 晶振 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆级真空封装的MEMS晶振，包括保护盖（1）和MEMS晶振主体（2），保护盖（1）固定设置在MEMS晶振主体（2）的一侧，其特征在于：所述保护盖（1）包括外绝缘层（11）、外防腐层（12）、刻字槽（13）、壳体（14）、内防腐层（15）和内绝缘层（16），所述外防腐层（12）喷涂在壳体（14）的外表面，外绝缘层（11）喷涂在外防腐层（12）的外表面，刻字槽（13）开设在壳体（14）的外侧，内防腐层（15）喷涂在壳体（14）的内表面，内绝缘层（16）喷涂在内防腐层（15）的内表面。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆级真空封装的MEMS晶振，其特征在于：所述外绝缘层（11）和内绝缘层（16）均为一种绝缘漆材料制成的构件。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆级真空封装的MEMS晶振，其特征在于：所述外防腐层（12）和内防腐层（15）均为一种防腐漆材料制成的构件。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆级真空封装的MEMS晶振，其特征在于：所述壳体（14）为一种硅钢材料制成的构件。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆级真空封装的MEMS晶振，其特征在于：所述保护盖（1）与MEMS晶振主体（2）之间形成缓冲空腔（17）。
6.根据权利要求5所述的一种晶圆级真空封装的MEMS晶振，其特征在于：所述缓冲空腔（17）呈梯形。
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