[实用新型]一种深紫外LED封装结构有效
| 申请号： | 202020842515.7 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN213340411U | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 柳星星;彭洋;王志涛 | 申请（专利权）人： | 武汉高星紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 封装 结构 | ||
1.一种深紫外LED封装结构，其特征在于包括含围坝的三维陶瓷基板、含金属环的石英窗口、石英透镜、焊料层和深紫外LED芯片，所述三维陶瓷基板围坝上设有台阶，所述石英透镜设置于所述石英窗口上表面，所述深紫外LED芯片位于所述三维陶瓷基板围坝内的线路层上，所述石英窗口通过所述焊料层固定于所述三维陶瓷基板围坝的台阶上。
2.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于，所述三维陶瓷基板围坝的台阶上设有凹槽，用于避免所述焊料层熔化后焊料溢出到陶瓷基板的线路层上。
3.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于，所述石英窗口上金属环的金属体系为钛-铜-镍-金、铬-镍-金或钛-铝-钛-铂-金，形状为正方形或圆形，厚度为5-50微米，宽度为0.5-5微米。
4.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于，所述石英透镜与所述石英窗口是通过熔融玻璃或一体成型工艺制作在一起，其发射角为30、60或120度。
5.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于，所述焊料层厚度为20-100微米，材质为锡基焊料，焊接温度在200-300℃。
6.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于，所述三维陶瓷基板围坝为铜围坝，通过电镀或粘接工艺在平面陶瓷基板上制作而成。
7.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装结构，其特征在于，所述三维陶瓷基板围坝为陶瓷围坝，通过低温共烧或高温共烧工艺制作而成，围坝台阶上设有金属层，金属层厚度为1-10微米。
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