[实用新型]一种基于混合芯片与注塑工艺的硅基板挖腔结构有效
| 申请号： | 202020855979.1 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN212033001U | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 胡孝伟;代文亮;郭玉馨 | 申请（专利权）人： | 上海芯波电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/055 | 分类号： | H01L23/055;H01L23/31;H01L25/18 |
| 代理公司： | 上海乐泓专利代理事务所(普通合伙) 31385 | 代理人： | 王瑞 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 混合 芯片 注塑 工艺 硅基板挖腔 结构 | ||
1.一种基于混合芯片与注塑工艺的硅基板挖腔结构，其特征在于：包括硅基板(110)，所述硅基板(110)一侧设有向内凹陷的凹槽(112)和若干个均匀分布的BGA引脚(120)，所述凹槽(112)内设有FC芯片(114)，所述硅基板(110)远离所述FC芯片(114)的一侧贴装有WB芯片(140)和SMT器件(150)，所述硅基板(110)内设有相贯通的通孔(111)，所述通孔(111)内填充有导电材料，所述WB芯片(140)和SMT器件(150)均通过通孔(111)与所述BGA引脚(120)导通，所述硅基板(110)上贴装有WB芯片(140)和SMT器件(150)的一侧覆盖有注塑层(130)。
2.根据权利要求1所述的一种基于混合芯片与注塑工艺的硅基板挖腔结构，其特征在于：所述FC芯片(114)与所述凹槽(112)内壁之间填充有填充层(113)。
3.根据权利要求1所述的一种基于混合芯片与注塑工艺的硅基板挖腔结构，其特征在于：所述WB芯片(140)和SMT器件(150)与硅基板(110)之间填充有粘结层(141)。
4.根据权利要求1所述的一种基于混合芯片与注塑工艺的硅基板挖腔结构，其特征在于：所述WB芯片(140)的数量是设为一个或至少两个，且WB芯片(140)与SMT器件(150)之间相互绝缘设置。
5.根据权利要求1所述的一种基于混合芯片与注塑工艺的硅基板挖腔结构，其特征在于：所述注塑层(130)的厚度为0.4mm-1.5mm，所述注塑层(130)采用的材料为环氧树脂。
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