[实用新型]一种用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚有效

专利信息
申请号: 202020875855.X 申请日: 2020-05-22
公开(公告)号: CN212375418U 公开(公告)日: 2021-01-19
发明(设计)人: 胡小波;王垚浩;徐现刚;于国建;杨祥龙;陈秀芳;徐南 申请(专利权)人: 广州南砂晶圆半导体技术有限公司
主分类号: C30B23/00 分类号: C30B23/00;C30B29/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 511458 广东省广州市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 碳化硅 生长 石墨 坩埚
【权利要求书】:

1.一种用于碳化硅单晶生长的石墨坩埚,其特征在于,包括坩埚盖和中空的坩埚体,其中:

所述坩埚盖中靠近所述坩埚体的下表面包括第一下表面、位于所述第一下表面外周的第二下表面;所述第一下表面凸出于所述第二下表面,所述第一下表面和所述第二下表面之间形成坩埚盖台阶面,所述坩埚盖台阶面为向所述第一下表面倾斜的面;所述第二下表面上开设有第一固定孔;

与所述坩埚盖台阶面相匹配的,所述坩埚体端口处的内壁为倾斜内壁;

所述坩埚盖与所述坩埚体通过穿设在所述第一固定孔中的坩埚紧固部件紧固,所述第二下表面与所述坩埚体的端口面之间具有间距。

2.根据权利要求1所述的石墨坩埚,其特征在于,所述坩埚体的端口面上开设有第二固定孔,所述第二固定孔的内壁上设有螺纹,所述坩埚紧固部件为石墨螺杆,所述坩埚盖与所述坩埚体通过穿设在所述第一固定孔和所述第二固定孔中的所述石墨螺杆紧固。

3.根据权利要求1所述的石墨坩埚,其特征在于,所述坩埚体包括坩埚筒和坩埚底,其中:

所述坩埚底中靠近所述坩埚筒的上表面包括第一上表面、位于所述第一上表面外周的第二上表面;所述第一上表面凸出于所述第二上表面,所述第一上表面和所述第二上表面之间形成坩埚底台阶面,所述坩埚底台阶面为向所述第一上表面倾斜的面;所述第二上表面上开设有第三固定孔;

与所述坩埚底台阶面相匹配的,所述坩埚筒端口处的内壁为倾斜内壁;

所述坩埚底与所述坩埚筒通过穿设在所述第三固定孔中的坩埚底紧固部件紧固,所述第二上表面与所述坩埚筒的端口面之间具有间距。

4.根据权利要求3所述的石墨坩埚,其特征在于,所述坩埚筒的端口面上开设有第四固定孔,所述第四固定孔的内壁上设有螺纹,所述坩埚底紧固部件为石墨螺杆,所述坩埚底与所述坩埚筒通过穿设在所述第三固定孔和第四固定孔的所述石墨螺杆紧固。

5.根据权利要求1所述的石墨坩埚,其特征在于,所述坩埚盖台阶面的倾斜角度为10°~20°之间的任一角度值。

6.根据权利要求1所述的石墨坩埚,其特征在于,所述第二下表面与所述坩埚体的端口面之间的间距为1mm~2mm之间的任一数值。

7.根据权利要求3所述的石墨坩埚,其特征在于,所述坩埚底台阶面222的倾斜角度为10°~20°之间的任一角度值。

8.根据权利要求3所述的石墨坩埚,其特征在于,所述第二上表面与所述坩埚筒的端口面之间的间距为1mm~2mm之间的任一数值。

9.根据权利要求1所述的石墨坩埚,其特征在于,所述坩埚紧固部件为石墨坩埚紧固部件。

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