[实用新型]一种高可靠性LED芯片

权利要求书

1.一种高可靠性LED芯片，其特征在于，包括发光结构和保护层，所述保护层覆盖在发光结构的外延层和透明导电层上；

所述保护层包括依次设置的Al₂O₃层、致密SiO₂层和SiN_x层，所述致密SiO₂层包括若干周期高致密性SiO₂层和低致密性SiO₂层，高致密性SiO₂层的薄膜致密性大于低致密性SiO₂层的薄膜致密性。

2.如权利要求1所述的高可靠性LED芯片，其特征在于，每个周期中高致密性SiO₂层的厚度为低致密性SiO₂层的厚度为

3.如权利要求2所述的高可靠性LED芯片，其特征在于，致密SiO₂层的总厚度为

4.如权利要求1所述的高可靠性LED芯片，其特征在于，所述Al₂O₃层的厚度为

5.如权利要求1所述的高可靠性LED芯片，其特征在于，SiN_x层的厚度为

6.如权利要求1所述的高可靠性LED芯片，其特征在于，所述保护层还包括覆盖在SiN_x层上的第四膜层，所述第四膜层由SiO₂制成。

7.如权利要求6所述的高可靠性LED芯片，其特征在于，所述第四膜层的厚度为

8.如权利要求1所述的高可靠性LED芯片，其特征在于，所述发光结构包括衬底、外延层、透明导电层和电极，所述外延层设置在衬底上，所述透明导电层设置在外延层上，所述电极与外延层形成导电连接。

9.如权利要求1或8所述的高可靠性LED芯片，其特征在于，所述透明导电层为ITO层。