[实用新型]一种用于I-129辐射监测的就地辐射处理器控制电路有效

专利信息
申请号: 202020884326.6 申请日: 2020-05-23
公开(公告)号: CN212111820U 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 靳磊;肖鹏飞;薛超;杨康;赵江斌;郑皓;赵小平;王欣;陈禹轩;张伟;高攀 申请(专利权)人: 陕西卫峰核电子有限公司
主分类号: G01T1/178 分类号: G01T1/178;G01T1/167
代理公司: 西安启诚专利知识产权代理事务所(普通合伙) 61240 代理人: 李艳春
地址: 710118 陕西省西安市高*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 129 辐射 监测 就地 处理器 控制电路
【权利要求书】:

1.一种用于I-129辐射监测的就地辐射处理器控制电路,其特征在于:包括微控制器模块(1)和为所述控制电路中各用电模块供电的电源电路模块(2),以及与微控制器模块(1)相接的存储电路模块(3)、通信接口电路模块(4)和I/O扩展电路模块(5);所述微控制器模块(1)的输入端接有矩阵键盘输入电路模块(6)和模拟量输入电路模块(8),所述微控制器模块(1)的输出端接有显示模块(9)、LED指示灯电路(10)、蜂鸣器驱动电路(11)和模拟量输出电路模块(12),所述I/O扩展电路模块(5)的输入端接有开关量输入电路模块(7),所述I/O扩展电路模块(5)的输出端接有继电器驱动电路模块(13),所述继电器驱动电路模块(13)的输出端接有多个继电器输出电路(14),所述存储电路模块(3)包括SDRAM存储电路(3-1)、EEPROM存储电路(3-2)、串行FLASH存储电路(3-3)和TF卡读卡器接口电路(3-4),所述通信接口电路模块(4)包括以太网接口电路(4-1)、RS232通信接口电路(4-2)和RS485通信接口电路(4-3),所述SDRAM存储电路(3-1)、EEPROM存储电路(3-2)、串行FLASH存储电路(3-3)和TF卡读卡器接口电路(3-4),以及以太网接口电路(4-1)、RS232通信接口电路(4-2)和RS485通信接口电路(4-3)均与微控制器模块(1)相接。

2.按照权利要求1所述的一种用于I-129辐射监测的就地辐射处理器控制电路,其特征在于:所述微控制器模块(1)包括ARM控制器芯片STM32F429IGT6、非极性电容C5、非极性电容C6和电阻R8,以及与ARM控制器芯片STM32F429IGT6相接的BOOT电路、复位电路、晶振电路和实时时钟电路;所述ARM控制器芯片STM32F429IGT6的第48引脚通过电阻R8接地,所述ARM控制器芯片STM32F429IGT6的第81引脚通过非极性电容C5接地,所述ARM控制器芯片STM32F429IGT6的第125引脚通过非极性电容C6接地;所述BOOT电路包括电阻R1和电阻R5,所述电阻R1的一端与ARM控制器芯片STM32F429IGT6的第58引脚连接,所述电阻R5的一端与ARM控制器芯片STM32F429IGT6的第166引脚连接,所述电阻R1的另一端和电阻R5的另一端均接地;所述复位电路包括非极性电容C2和电阻R4,所述非极性电容C2的一端和电阻R4的一端均与ARM控制器芯片STM32F429IGT6的第31引脚连接,所述电阻R4的另一端与电源电路模块(2)的3.3V电压输出端连接,所述非极性电容C2的另一端接地;所述晶振电路包括晶振XT1、非极性电容C1和非极性电容C3,所述晶振XT1的第1引脚和非极性电容C1的一端均与ARM控制器芯片STM32F429IGT6的第30引脚连接,所述晶振XT1的第3引脚和非极性电容C3的一端均与ARM控制器芯片STM32F429IGT6的第29引脚连接,所述晶振XT1的第2引脚、第4引脚、非极性电容C1的另一端和非极性电容C4的另一端均接地;所述实时时钟电路包括时钟芯片RX8025T、开关二极管BAV74、纽扣电池BAT1、非极性电容C16、电阻R16和电阻R17,所述时钟芯片RX8025T的第2引脚与ARM控制器芯片STM32F429IGT6的第45引脚连接,且通过电阻R16与电源电路模块(2)的3.3V电压输出端连接,所述时钟芯片RX8025T的第13引脚与ARM控制器芯片STM32F429IGT6的第46引脚连接,且通过电阻R17与电源电路模块(2)的3.3V电压输出端连接,所述时钟芯片RX8025T的第6引脚与开关二极管BAV74的第3引脚连接,且通过非极性电容C16接地,所述开关二极管BAV74的第1引脚与纽扣电池BAT1的正极连接,所述开关二极管BAV74的第2引脚与电源电路模块(2)的3.3V电压输出端连接,所述纽扣电池BAT1的负极接地。

3.按照权利要求2所述的一种用于I-129辐射监测的就地辐射处理器控制电路,其特征在于:所述SDRAM存储电路(3-1)包括存储芯片IS42S16800F,所述EEPROM存储电路(3-2)包括存储芯片24LC256,所述串行FLASH存储电路(3-3)包括存储芯片W25Q128。

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