[实用新型]耐高压功率二极管器件

说明书

本实用新型公开一种耐高压功率二极管器件，其金属基座的上表面具有2个支撑部，所述2个二极管芯片位于金属基座正上方并且其各自同极性一端分别通过焊锡层与金属基座的2个支撑部电连接，位于金属基座下端的第一引脚部从环氧封装层内延伸出；所述引线架进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的第一竖金属板和第二竖金属板，所所述环氧封装层的下表面且位于2个所述第二引脚部左右侧均开有至少一个第一凹槽，所述环氧封装层的下表面且位于第一引脚部前后侧均开有至少一个第二凹槽。本实用新型既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，也有利于快速将二极管芯片热量扩散出。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种耐高压功率二极管器件。

背景技术

二极管器件是一种具有单向传导电流的电子器件，在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性，广泛用于电子产品和通信等方面。一般来讲，贴片晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性，而目前很多的贴片二极管的体积较大，因而不能满足市场上对于小型化和薄型化需求，同时，散热性能也不佳。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种耐高压功率二极管器件，该耐高压功率二极管器件既有利于进一步降低器件的体积和占用PCB电路板的面积，满足市场对产品小型化需求，也有利于快速将二极管芯片热量扩散出，延长了半导体器件的使用寿命。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种耐高压功率二极管器件，包括2个二极管芯片、金属基座和引线架，一环氧封装层包覆于2个二极管芯片、金属基座和引线架上，所述金属基座的上表面具有2个支撑部，所述2个二极管芯片位于金属基座正上方并且其各自同极性一端分别通过焊锡层与金属基座的2个支撑部电连接，位于金属基座下端的第一引脚部从环氧封装层内延伸出；

所述引线架进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的第一竖金属板和第二竖金属板，所述横金属板的中央具有2个向下外凸的焊接凸起块，所述引线架的横金属板位于二极管芯片的正上方且其2个焊接凸起块分别通过焊锡层与2个二极管芯片各自同极性另一端电连接，所述第一竖金属板和第二竖金属板各自与横金属板相背的一端为第二引脚部，此第二引脚部从环氧封装层内延伸出；

所述环氧封装层的下表面且位于2个所述第二引脚部左右侧均开有至少一个第一凹槽，所述环氧封装层的下表面且位于第一引脚部前后侧均开有至少一个第二凹槽。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，位于所述引线架上横金属板的焊接凸起块与二极管芯片的正极电连接，所述引线架的第二引脚部作为正极输入端。

2. 上述方案中，所述金属基座的支撑部与二极管芯片负极电连接，所述金属基座的第一引脚部作为负极输入端。

3. 上述方案中，所述环氧封装层的下表面且位于第一引脚部前后侧均开有2个第二凹槽。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：