[实用新型]一种宽幅线阵影像传感器有效
申请号: | 202020887071.9 | 申请日: | 2020-05-25 |
公开(公告)号: | CN212033024U | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 李宏明;肖昌林;刘成名;肖建全 | 申请(专利权)人: | 深圳市光太科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人: | 冯静 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 宽幅 影像 传感器 | ||
本实用新型涉及一种宽幅线阵影像传感器,包括电路板、线阵影像传感芯片和自聚焦透镜阵列,在电路板的上方沿长度方向交错地布置有多个自聚焦透镜阵列,相邻两个自聚焦透镜阵列的物端朝上,像端朝下,并且使相邻两个自聚焦透镜阵列的物线在同一条直线上而且是连续的;与自聚焦透镜阵列对应的线阵影像传感芯片贴装在电路板上,并且使自聚焦透镜阵列的像线完全覆盖与自聚焦透镜阵列对应的线阵影像传感芯片的感光中心线,覆盖在相邻两个线阵影像传感芯片上的像线所对应的物线是连续的而且不重叠。本实用新型的宽幅线阵影像传感器采集的图像消除了像素重叠和线差的问题,使得图像无需软件拼接和补偿,降低了宽幅线阵影像传感器的制造成本和维护成本。
技术领域
本实用新型涉及线阵影像传感器领域,特别是涉及一种采用拼接方式制作的宽幅线阵影像传感器。
背景技术
线阵影像传感器主要由线阵影像传感芯片与透镜组合而成,传统的线阵影像传感器扫描幅度一般小于A3幅面,传感芯片可以无缝接续,但自聚焦透镜阵列很难无缝接续,幅度超过A3的整条自聚焦透镜阵列价格昂贵,因此宽幅线阵影像传感器都采用交错拼接方式来降低成本。传统的拼接方法具有部分像素重叠和步进方向上的线差等问题,需要通过软件拼接和补偿,每次维修更换都需要重新调试,维护成本高。因此,现有拼接方法存在需要软件拼接和补偿的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种宽幅线阵影像传感器,解决了现有拼接方法需要软件拼接和补偿的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供了如下方案:
一种宽幅线阵影像传感器,包括电路板、多个线阵影像传感芯片和多个自聚焦透镜阵列,多个所述自聚焦透镜阵列沿所述电路板的长度方向交错地布置在所述电路板的上方;
相邻两个所述自聚焦透镜阵列的物端朝上,像端朝下,使得相邻两个所述物端的光轴线成θ角,10°≤θ≤90°,并且使相邻两个所述自聚焦透镜阵列的物线在同一条直线上而且是连续的;
多个所述线阵影像传感芯片贴装在所述电路板上,所述线阵影像传感芯片与所述自聚焦透镜阵列对应设置,并且使所述自聚焦透镜阵列的像线完全覆盖与所述自聚焦透镜阵列对应的所述线阵影像传感芯片的感光中心线,所述像线的长度大于或等于所述线阵影像传感芯片的长度,覆盖在相邻两个所述线阵影像传感芯片上的像线所对应的所述物线是连续的而且不重叠。
进一步的改进,相邻两个所述自聚焦透镜阵列的物端的光轴线成θ角,30°≤θ≤45°。
进一步的改进,所述线阵影像传感芯片为CMOS芯片。
进一步的改进,所述线阵影像传感芯片为CCD芯片。
根据本实用新型提供的具体实施例,本实用新型公开了以下技术效果:
本实用新型将多个所述自聚焦透镜阵列沿长度方向(x方向)交错地布置在所述电路板的上方,并且相邻两个所述自聚焦透镜阵列的物端朝上,像端朝下,相邻两个所述自聚焦透镜阵列的物端的光轴线沿x方向成θ角,10°≤θ≤90°,并且使相邻两个所述自聚焦透镜阵列的物线在同一条直线上而且是连续的,消除了线差;相邻两个所述自聚焦透镜阵列的像线完全覆盖了与自聚焦透镜阵列对应的线阵影像传感芯片的感光中心线,覆盖在相邻两个线阵影像传感芯片上的像线所对应的物线是连续的,但不重叠,消除了像素重叠,因此本实用新型的宽幅线阵影像传感器采集的图像消除了像素重叠和线差的问题,不需要软件拼接和补偿,降低了宽幅线阵影像传感器的制造成本和维护成本,提高了图像质量。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的