[实用新型]一种PWM驱动电路

说明书

本实用新型涉及电路结构技术领域，尤其是指一种PWM驱动电路，其包括开关管Q4、开关管Q5、电阻R26、电阻R37、电容C21、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D3、绕组T1、绕组T2、电容C14、二极管D6、电阻R17以及电阻R16；本实用新型设计巧妙，经过开关管Q4和开关管Q5组成的推挽驱动，加强驱动能力，驱动MOS管Q2和MOS管Q3，组成双晶正激的电路，绕组T2作为隔离驱动变压器，把PWM信号分为交错导通的驱动信号，实现了直流变交流的功能，二极管D3和二极管D6分别是钳位二极管，把在开关室产生的尖峰等予以降低或消除，减轻了MOS管Q2和MOS管Q3的应力，同时有助于EMI的抑制。

技术领域

本实用新型涉及电路结构技术领域，尤其是指一种PWM驱动电路。

背景技术

目前的PWM驱动电路驱动能力差，不能实现直流变交流的功能，电路结构存在缺陷，并且存在电磁干扰(EMI)。因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

发明内容

本实用新型针对现有技术的问题提供一种PWM驱动电路，设计巧妙，从而使得直流高压变成了交流高频电压，实现了直流变交流的功能，减轻了MOS管Q2和MOS管Q3的应力，同时有助于EMI的抑制。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

本实用新型提供的一种PWM驱动电路，包括开关管Q4、开关管Q5、电阻R26、电阻R37、电容C21、MOS管Q2、MOS管Q3、二极管D3、绕组T1、绕组T2、电容C14、二极管D6、电阻R17以及电阻R16；所述开关管Q4的基极和开关管Q5的基极均连接于电阻R26的一端，电阻R26的另一端连接PWM IN输入端，所述开关管Q4的发射极与所述开关管Q5的发射极连接后的公端与电阻R37的一端、电容C21的一端连接，电阻R37的另一端与MOS管Q3的栅极连接，所述MOS管Q3的漏极与二极管D3的阳极、绕组T1初级侧的一端连接，所述电容C21的另一端与绕组T2初级侧的一端连接，所述绕组T2初级侧的另一端接地，所述绕组T2次级侧的两端分别与电容C14的一端、电阻R17的一端连接，电容C14的另一端与电阻R16的一端连接，电阻R16的另一端和电阻R17的另一端均与MOS管Q2的栅极连接，所述二极管D6的阳极接地，所述二极管D6的阴极与电阻R17的一端连接，所述绕组T1初级侧的另一端与MOS管Q2的源极连接。

其中，所述PWM驱动电路包括电阻R38、电阻R36、电阻R33和电容C20，所述电阻R38的一端与MOS管Q3的栅极连接，所述MOS管Q3的源极、电阻R38的另一端和电阻R36的一端均与电阻R33的一端连接，电阻R36的另一端接地，所述电容C20的两端分别与电阻R33的另一端和电阻R36的另一端。

本实用新型的有益效果：

本实用新型设计巧妙，IC输出PWM in信号，经过开关管Q4和开关管Q5组成的推挽驱动，加强驱动能力，驱动MOS管Q2和MOS管Q3，组成双晶正激的电路，绕组T2作为隔离驱动变压器，把PWM信号分为交错导通的驱动信号，使得MOS管Q2和MOS管Q3分别在上下半周导通，绕组T1的初级电感形成了往复的高频电流回路，从而使得直流高压变成了交流高频电压，实现了直流变交流的功能，二极管D3和二极管D6分别是钳位二极管，把在开关室产生的尖峰等予以降低或消除，减轻了MOS管Q2和MOS管Q3的应力，同时有助于EMI的抑制。

附图说明

图1为本实用新型的一种PWM驱动电路的电路图。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例与附图对本实用新型作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本实用新型的限定。以下结合附图对本实用新型进行详细的描述。