[实用新型]一种垂直腔面发射激光器有效
申请号: | 202020893504.1 | 申请日: | 2020-05-25 |
公开(公告)号: | CN212033426U | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 张星 | 申请(专利权)人: | 长春中科长光时空光电技术有限公司 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/34 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王晓坤 |
地址: | 130000 吉林省长春市*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 垂直 发射 激光器 | ||
1.一种垂直腔面发射激光器,其特征在于,包括由下至上依次层叠的第一电极、衬底、第一反射镜层、量子点层、第一限制层、过渡层、掺杂层、第二限制层、第二反射镜层、浮雕层、第二电极,所述过渡层和所述掺杂层中分布有质子植入区,所述浮雕层包括刻蚀区和未刻蚀区,且垂直腔面发射激光器的中心线与所述浮雕层的交点位于所述刻蚀区内或所述未刻蚀区内。
2.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述浮雕层为接触层。
3.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述浮雕层包括由下至上层叠的接触层和光学介质层,且所述光学介质层包括所述刻蚀区和所述未刻蚀区。
4.如权利要求3所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述光学介质层为二氧化硅层、二氧化钛层、氮化硅层、氧化铝层中的任一种。
5.如权利要求1至4任一项所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述刻蚀区深度为所述未刻蚀区深度的四分之一的奇数倍。
6.如权利要求5所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述掺杂层包括由下至上层叠的重型p掺杂层和重型n掺杂层。
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