[实用新型]一种高压碳化硅功率模块有效
申请号: | 202020893580.2 | 申请日: | 2020-05-25 |
公开(公告)号: | CN212851213U | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 杨英杰;梁琳;颜辉;陈雪筠 | 申请(专利权)人: | 常州瑞华新能源科技有限公司;华中科技大学 |
主分类号: | H05K1/18 | 分类号: | H05K1/18 |
代理公司: | 南京勤行知识产权代理事务所(普通合伙) 32397 | 代理人: | 吕波 |
地址: | 213200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 碳化硅 功率 模块 | ||
1.一种高压碳化硅功率模块,包括基板(1)、芯片(4)、外壳(7)和端子(8),所述端子(8)焊接在覆铜陶瓷板上,所述端子(8)贯穿芯片(4)上方外壳(7)内的灌封胶(6)并延伸至空气(12),其特征在于:所述端子(8)采用水平弯折的端子,还包括位于模块顶部充当外壳(7)盖板的PCB板(9),所述PCB板(9)内部的中间导电层(10)通过过孔(11)与端子(8)电连接。
2.按照权利要求1所述的一种高压碳化硅功率模块,其特征在于,所述PCB板(9)为多层线路板,包括:
用于焊接焊接功率半导体控制模块及辅助电路的上层导电层;
用于实现电场调制的中间导电层(10);
通过过孔(11)与中间导电层(10)连接,并与端子(8)连接的下层导电层;
各层导电层之间均通过过孔实现连接。
3.按照权利要求1所述的一种高压碳化硅功率模块,其特征在于:所述覆铜陶瓷板包括铜层(3)和陶瓷(2),所述铜层(3)包括上铜层和下铜层,所述陶瓷(2)设置在上铜层、下铜层之间,所述下铜层固定在基板(1)上;所述上铜层焊有芯片(4),并通过键合线(5)连接在一起。
4.按照权利要求3所述的一种高压碳化硅功率模块,其特征在于:所述陶瓷(2)采用高介电强度、高导热率的氮化铝材料。
5.按照权利要求1所述的一种高压碳化硅功率模块,其特征在于:所述外壳(7)采用聚苯硫醚切削而成。
6.按照权利要求1所述的一种高压碳化硅功率模块,其特征在于:所述基板(1)材料可以采用铜、镀镍铜或镀锌铜中的一种。
7.按照权利要求1所述的一种高压碳化硅功率模块,其特征在于:所述灌封胶(6)采用低粘度、高介电强度的硅凝胶。
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