[实用新型]实现自适应分档控制的缓启动电路结构

权利要求书

1.一种实现自适应分档控制的缓启动电路结构，其特征在于，所述的电路结构设置在供电单元和负载单元之间，所述的电路结构包括开关单元、检测单元和控制单元，所述的控制单元、开关单元和检测单元串联在供电单元和负载单元之间，所述的开关单元分别连接供电单元、检测单元和控制单元，所述的检测单元分别连接开关单元、负载单元和控制单元，所述的供电单元和负载单元相连接。

2.根据权利要求1所述的实现自适应分档控制的缓启动电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括单片机芯片U1，运算放大器U2、线性稳压芯片U3、MOS管组，运算放大器U2与单片机芯片U1相连接，线性稳压芯片U3和单片机芯片U1相连接，MOS管组与单片机芯片U1相连接。

3.根据权利要求1所述的实现自适应分档控制的缓启动电路结构，其特征在于，所述的控制单元包括多个MOS管，所述的多个MOS管与对应的NPN三极管相连接，所述的多个MOS管通过单片机芯片进行切换控制。

4.根据权利要求1所述的实现自适应分档控制的缓启动电路结构，其特征在于，所述的开关单元包括NMOS管Q1、整流二极管D2和稳压二极管D3，所述的稳压二极管D3的负极与整流二极管D2的正极相连接，所述的NMOS管Q1与稳压二极管D3相连接。