[实用新型]一种下电极组件及等离子体处理装置有效
| 申请号： | 202020903932.8 | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN211788913U | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 赵函一;黄国民;叶如彬;涂乐义 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J9/18 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电极 组件 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种下电极组件，用于承载待处理基片，其特征在于：其包括：基座,所述基座包括基座本体及自基座本体向外延伸的台阶部；
静电夹盘，其位于所述基座的上方；及
边缘环组件，其环绕所述基座及静电夹盘设置，所述边缘环组件包括：
聚焦环，其环绕所述基座和/或静电夹盘设置，及
介电环，其位于聚焦环下方并环绕所述基座设置，所述介电环包括介电环本体及自介电环本体向基座方向延伸的延伸部，所述介电环与所述基座之间设有间隙，所述台阶部与所述延伸部配合将所述间隙至少分隔成第一间隙和第二间隙。
2.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于：所述基座的外侧设有保护层。
3.如权利要求2所述的下电极组件，其特征在于：所述保护层为氧化铝和/或氧化钇材料层。
4.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于：所述边缘环组件与所述基座和/或静电夹盘之间进一步环绕设有保护环。
5.如权利要求4所述的下电极组件，其特征在于：所述保护环的至少一部分与所述介电环和基座相互抵靠。
6.如权利要求4所述的下电极组件，其特征在于：所述保护环的至少一部分与所述基座及所述静电夹盘相互抵靠。
7.如权利要求4所述的下电极组件，其特征在于：所述保护环为耐等离子体腐蚀材料。
8.如权利要求4所述的下电极组件，其特征在于：所述保护环为高分子材料。
9.如权利要求4所述的下电极组件，其特征在于：所述保护环为氟橡胶或全氟橡胶系列。
10.如权利要求4所述的下电极组件，其特征在于：所述保护环设置在所述台阶部的上方。
11.如权利要求4所述的下电极组件，其特征在于：所述聚焦环包括一向静电夹盘方向延伸的延伸部，所述延伸部至少部分的覆盖所述保护环。
12.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于：所述介电环为高导热陶瓷材料或氧化铝材料。
13.一种等离子体处理装置，其包括真空处理腔室，其特征在于：所述真空处理腔室包括如权利要求1至12中任一项所述的下电极组件。
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