[实用新型]一种激光器有效

专利信息
申请号: 202020911434.8 申请日: 2020-05-26
公开(公告)号: CN211789983U 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 杨国文;唐松;赵卫东 申请(专利权)人: 度亘激光技术(苏州)有限公司
主分类号: H01S5/22 分类号: H01S5/22;H01S5/24;H01S5/028
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 钟扬飞
地址: 215000 江苏省苏州市工业园区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 激光器
【权利要求书】:

1.一种激光器,其特征在于,包括:

第一波导结构,所述第一波导结构的一端设置有高反膜;

第二波导结构,设置在所述第一波导结构的另一端,所述第二波导结构的入射端面为抗反射结构,所述第二波导结构的出射端设置有抗反膜;

沟槽,设置在所述第一波导结构与所述第二波导结构之间。

2.根据权利要求1所述的激光器,其特征在于,所述第二波导结构包括:

第一脊波导,所述第一脊波导的脊条宽度沿靠近所述抗反膜的方向逐渐增大。

3.根据权利要求2所述的激光器,其特征在于,所述第二波导结构还包括:

第二脊波导,所述第二脊波导为直波导,所述第二脊波导的出射端连接所述第一脊波导的入射端。

4.根据权利要求2所述的激光器,其特征在于,所述第一脊波导的出射端的端口宽度范围为4μm至600μm。

5.根据权利要求1所述的激光器,其特征在于,所述第二波导结构的入射端面与所述第一波导结构的出射端面的夹角范围为2°至85°。

6.根据权利要求1所述的激光器,其特征在于,所述沟槽的长度范围为1μm至100μm,深度范围为0.5μm至10μm。

7.根据权利要求1所述的激光器,其特征在于,形成所述激光器的半导体外延层自下而上依次包括:衬底、下限制层、量子阱、上限制层和欧姆接触层。

8.根据权利要求7所述的激光器,其特征在于,所述激光器的外延材料上设置有介质膜,所述介质膜覆盖所述沟槽。

9.根据权利要求8所述的激光器,其特征在于,所述介质膜的厚度范围为30nm至500nm。

10.根据权利要求8所述的激光器,其特征在于,所述沟槽内设置有钝化膜,所述钝化膜设置在所述介质膜下方。

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