[实用新型]一种太赫兹移频器

权利要求书

1.一种太赫兹移频器，其特征在于，包括：

动态光栅器；

太赫兹发射源，用于发射指定功率、振荡频率为第一频率的太赫兹波；

分束器，所述分束器设置于所述太赫兹发射源的光路上，用于将一部分所述太赫兹波反射到所述动态光栅器的第一表面上；

激光设备，用于产生具有频率差的两束激光，且这两束激光呈一定夹角照射到所述动态光栅器的第二表面上并发生干涉，形成激光干涉条纹，其中，所述第一表面与所述第二表面为相对面；

所述动态光栅器还用于在受到所述两束激光的照射后，产生与所述激光干涉条纹同步运动的光生载流子，照射到所述动态光栅器上的太赫兹波受所述光生载流子的调制而发生衍射，输出振荡频率为第二频率的太赫兹波，其中，所述第二频率与所述第一频率不同。

2.根据权利要求1所述的太赫兹移频器，其特征在于，所述激光设备包括：

激光器，用于产生一定频率的第一激光，并以第一入射角照射到所述动态光栅器的第二表面上；

调频激光器，用于产生与所述第一激光不同频率的第二激光，并以第二入射角照射到所述动态光栅器的第二表面上，且与所述第一激光发生干涉，形成所述激光干涉条纹。

3.根据权利要求1所述的太赫兹移频器，其特征在于，所述激光设备包括：

声光调制器；

激光器，用于产生一定频率的激光，并以第一入射角照射到所述动态光栅器的第二表面上；

分束器，所述分束器设置于所激光器的光路上，用于将一部分激光反射到所述声光调制器上；

其中，所述声光调制器，用于对所述激光器产生的一部分激光进行调制，使该部分的激光的频率发生改变，并以第二入射角照射到所述动态光栅器的第二表面上。

4.根据权利要求2或3所述的太赫兹移频器，其特征在于，所述第一入射角与所述第二入射角不相等。

5.根据权利要求1所述的太赫兹移频器，其特征在于，所述动态光栅器的材质为高阻硅、低温生长的砷化镓或二氧化钒薄膜。

6.根据权利要求1所述的太赫兹移频器，其特征在于，所述动态光栅器的第二表面涂覆有导电薄膜，所述导电薄膜具有透射激光、反射太赫兹波的特性。

7.根据权利要求6所述的太赫兹移频器，其特征在于，所述导电薄膜为ITO导电薄膜。

8.根据权利要求7所述的太赫兹移频器，其特征在于，所述ITO导电薄膜的厚度为100至300纳米。

9.根据权利要求1所述的太赫兹移频器，其特征在于，所述太赫兹发射源包括：

晶振；

第一倍频器，用于将所述晶振产生的频率为第三频率的射频信号的频率倍增到第四频率输出，所述第四频率为N倍所述第三频率，N为大于2的正整数；

放大器，用于将所述第一倍频器输入的所述第四频率的射频信号的功率进行放大；

第二倍频器，用于将所述放大器输入的频率为所述第四频率的射频信号的频率倍增到所述第一频率输出，所述第一频率为M倍所述第四频率，M为大于2的正整数。

10.根据权利要求1-3中任一项或5-8中任一项所述的太赫兹移频器，其特征在于，所述太赫兹移频器还包括：

探测器或混频器，所述探测器或混频器，用于将经探测目标反射的太赫兹波与所述频率为第二频率的太赫兹波进行混频，产生干涉信号并输出。