[实用新型]一种压接型功率半导体器件及其温度分布测量系统

权利要求书

1.一种压接型功率半导体器件，其特征在于，包括：多个子模组、多个凸台和PCB板；所述子模组一一对应设置在所述凸台上；所述PCB板上设置有多个通孔，且所述凸台设置于所述通孔中；所述PCB板上设置有多个接口端子；

所述子模组包括：上钼片、半导体芯片和下钼片；

所述半导体芯片设置于所述上钼片和所述下钼片之间；所述半导体芯片的栅极与所述PCB板上的接口端子一一对应连接；

所述PCB板用于对每一所述子模组进行驱动；所述上钼片与所述下钼片形成应力缓冲区。

2.根据权利要求1所述的压接型功率半导体器件，其特征在于，压接型功率半导体器件还包括：集电极极板和发射极极板；

所述集电极极板和所述发射极极板用于与外部电路连接；且所述集电极极板、所述上钼片、所述半导体芯片、所述下钼片和所述发射极极板形成电流回路。

3.根据权利要求1所述的压接型功率半导体器件，其特征在于，所述子模组还包括：数量与所述子模组数量相同的子模组框架；所述子模组框架套设在所述子模组上；所述子模组框架用于固定所述子模组。

4.根据权利要求1所述的压接型功率半导体器件，其特征在于，所述子模组还包括：银垫片；所述银垫片设置于所述下钼片和所述凸台之间；所述银垫片用于补偿各所述子模组中组件的高度公差。

5.根据权利要求1所述的压接型功率半导体器件，其特征在于，压接型功率半导体器件还包括：外接引线；所述外接引线的数量与所述PCB板上的接口端子的数量相同，且所述外接引线与所述接口端子一一对应连接。

6.一种压接型功率半导体器件的温度分布测量系统，其特征在于，用于测量如权利要求1-5任意一项所述的压接型功率半导体器件的温度分布；所述温度分布测量系统包括：第一电流源、测试支路开关、第二电流源、时序驱动电路和探头；

所述第一电流源、所述测试支路开关和待测压接型功率半导体器件依次串联，以构成加热通路；所述第一电流源用于提供加热电流；所述测试支路开关用于控制所述加热通路的开启和关断；

所述第二电流源和所述探头均与所述待测压接型功率半导体器件并联；所述第二电流源用于提供测量电流；所述探头用于测量所述待测压接型功率半导体器件的饱和压降；

所述时序驱动电路通过外接引线与所述待测压接型功率半导体器件中PCB板上的接口端子连接；所述时序驱动电路用于控制所述待测压接型功率半导体器件中各半导体芯片的导通和关断。

7.根据权利要求6所述的压接型功率半导体器件的温度分布测量系统，其特征在于，所述探头包括电压探头；

所述电压探头与所述待测压接型功率半导体器件并联；所述电压探头用于测量所述待测压接型功率半导体器件的饱和压降。