[实用新型]一种数控系统FPGA-flash内存芯片配置电路有效
| 申请号： | 202020920663.6 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN211698947U | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 廖炳文;廖光灿 | 申请（专利权）人： | 成都鑫科瑞数控技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/34 | 分类号： | G06F30/34 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 张巨箭 |
| 地址： | 610100 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 数控系统 fpga flash 内存 芯片 配置 电路 | ||
1.一种数控系统FPGA-flash内存芯片配置电路，其特征在于：包括FPGA、内存配置芯片、软件下载电路和上拉电阻；
所述内存配置芯片通过对应的引脚分别与所述FPGA和所述软件下载电路连接，所述FPGA与所述软件下载电路通过对应的引脚连接；所述上拉电阻连接在所述FPGA和内存配置芯片之间；所述FPGA、内存配置芯片、软件下载电路和上拉电阻均与电源连接。
2.根据权利要求1所述的一种数控系统FPGA-flash内存芯片配置电路，其特征在于：所述FPGA的型号具体为XC3S250E；所述内存配置芯片的型号具体为XCF02；所述软件下载电路具体为CN4；所述上拉电阻包括第一上拉电阻R159、第二上拉电阻R160、第三上拉电阻R161、第四上拉电阻R620。
3.根据权利要求2所述的一种数控系统FPGA-flash内存芯片配置电路，其特征在于：所述XCF02的控制信号引脚OE、CF、CE、CLK对应接到所述XC3S250E的相同信号引脚上，所述XCF02的控制信号引脚TMS、TDI、TDO和TCK对应接到所述CN4对应的引脚上。
4.根据权利要求2所述的一种数控系统FPGA-flash内存芯片配置电路，其特征在于：所述第一上拉电阻R159的第一端连接在所述XCF02的引脚OE与所述FPGA的引脚I/O连接之间，所述第一上拉电阻R159的第二端接电源。
5.根据权利要求2所述的一种数控系统FPGA-flash内存芯片配置电路，其特征在于：所述第二上拉电阻R160的第一端连接在所述XCF02的引脚CF与所述FPGA的引脚PROG连接之间,所述第二上拉电阻R160的第二端接电源。
6.根据权利要求2所述的一种数控系统FPGA-flash内存芯片配置电路，其特征在于：所述第三上拉电阻R161的第一端连接在所述XCF02 的引脚CE与所述FPGA的引脚DONE连接之间，所述第三上拉电阻R161的第二端连接在所述第二上拉电阻R160的第二端与电源的连接之间。
7.根据权利要求2所述的一种数控系统FPGA-flash内存芯片配置电路，其特征在于：所述第四上拉电阻R620的第一端连接在所述XCF02的引脚CLK与所述FPGA的引脚CCLK连接之间,所述第四上拉电阻R620的第二端接电源。
8.根据权利要求2所述的一种数控系统FPGA-flash内存芯片配置电路，其特征在于：所述CN4还包括接口CN14，所述接口CN14与Xilinx公司下载电缆线连接，所述下载电缆线的型号为：DLC9LP；所述CN4的接口采用标准JTAG接口。
9.根据权利要求2所述的一种数控系统FPGA-flash内存芯片配置电路，其特征在于：所述第一上拉电阻R159、第二上拉电阻R160采用4.7K大小的电阻；所述第四上拉电阻R620均采用47K大小的电阻，所述第三上拉电阻R161采用390Ω大小的电阻。
10.根据权利要求1所述的一种数控系统FPGA-flash内存芯片配置电路，其特征在于：所述电源具体为VDD33,所述VDD33分别与所述FPGA、内存配置芯片和软件下载电路、上拉电阻的对应引脚连接。
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