[实用新型]一种功率集成电路芯片

说明书

本申请提供了一种功率集成电路芯片，涉及半导体技术领域。该功率集成电路芯片包括N型衬底、位于N型衬底四周与底部的P型结构以及位于N型衬底表面的有源区；其中，N型衬底、P型结构以及有源区共同构成单向晶闸管、第一二极管以及第二二极管，且单向晶闸管的长基区与短基区分别与第一二极管、第二二极管连接。本申请提供的功率集成电路芯片具有器件的一致性更好，成本更低的优点。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种功率集成电路芯片。

背景技术

随着5G通讯时代的到来，通讯基站设备将越来越多，对通讯系统可靠性要求也越来越高。一旦通讯系统故障，会造成通讯中断，设备失灵，损失较大，甚至造成信息安全事故。其中，雷击是通讯系统故障的主要原因。

基于此，通讯系统中一般会进行过压防护。传统的防护方案是采用多个单路元器件并联的方式，此种方案成本高，而且一旦元器件间一致性不好，会导致起不到保护作用。

综上所述，目前的过压防护中，存在成本高、元件之间的一致性较差的问题。

实用新型内容

本申请的目的在于提供一种功率集成电路芯片，以解决现有技术中过压防护成本高、元件之间的一致性较差的问题。

本申请实施例提供了一种功率集成电路芯片，所述功率集成电路芯片包括：

N型衬底；

位于所述N型衬底四周与底部的P型结构；及

位于所述N型衬底表面的有源区；其中，

所述N型衬底、所述P型结构以及所述有源区共同构成单向晶闸管、第一二极管以及第二二极管，且所述单向晶闸管的长基区与短基区分别与所述第一二极管、所述第二二极管连接。

进一步地，所述有源区包括：

位于所述N型衬底表面的第一电极、位于所述N型衬底表面的第一P型区、位于所述第一P型区下部的第一N型区、位于所述第一P型区内的第二N型区、位于所述N型衬底表面的第二P型区、位于所述第二P型区内的第三N型区、第二电极、第三电极以及互联金属层，其中，

所述第二N型区与所述第二电极连接，所述第一P型区通过所述互联金属层与所述第三N型区连接，所述第二P型区与所述第三电极连接；

所述第一电极、所述N型衬底以及所述P型结构构成第一二极管；

所述N型衬底、所述P型结构、所述第一P型区、所述第一N型区、所述第二N型区构成所述单向晶闸管，且所述第一N型区用于调节所述单向晶闸管的触发电压；

所述第二P型区、所述第三N型区以及所述第三电极构成所述第二二极管；

所述功率集成电路芯片还包括第四电极，所述第四电极位于所述P型结构的底部。

进一步地，所述功率集成电路芯片还包括第一重掺杂区，所述第一重掺杂区位于所述N型衬底内，所述第一重掺杂区的导电类型为N型，且所述N型衬底通过所述第一重掺杂区与所述第一电极欧姆接触。

进一步地，所述功率集成电路芯片还包括第二重掺杂区，所述第二重掺杂区位于所述第一P型区内，所述第二重掺杂区的导电类型为P型，且所述第一P型区通过所述第二重掺杂区与所述互联金属层欧姆接触。

进一步地，所述第二N型区为重掺杂区，且所述第二N型区与所述第二电极之间欧姆接触。

进一步地，所述第二N型区内设置有短路孔。

相对于现有技术，本申请具有以下有益效果：