[实用新型]一种电源电路以及电源

说明书

本申请公开了一种电源电路及电源，包括多路调功回路，调功回路包括反向并联的可控硅；与各调功回路一一对应，并联于调控回路两端的阻容吸收回路；其中，第一调功回路至第五调功回路的第一端分别与不同电压档位下的变压器抽头一一对应连接，第一调功回路的第一端与第二端分别连接第六调功回路的第一端与汇流排，第二调功回路的第一端与第二端分别连接第七调功回路的第一端与汇流排，第三调功回路至第五调功回路的第二端连接汇流排；第一调功回路至第五调功回路对应连接的变压器抽头所对应的电压依次降低。该电路能够在抑制因振荡引起的过电压对可控硅造成损坏的同时，保障阻容吸收回路工作在一个可控可靠的温度内，保证电源系统安全稳定运行。

技术领域

本申请涉及电源技术领域，特别涉及一种电源电路；还涉及一种电源。

背景技术

在多晶硅的生长过程中，多晶硅可能处于并联模式，也可能处于串联模式。参考图1，处于并联模式下时，现有的技术方案是：在并+串联回路(所谓并+串联回路，即在多晶硅处于并联模式或串联模式时使用的回路)，由电源侧的2650V的一挡电压和1250V的二挡电压进行叠层调功输出，其余挡位不参与运行；在并联回路(所谓并联回路，即仅在多晶硅处于并联模式时才使用的回路)，由电源侧2650V的一挡电压和780V的三挡电压进行叠层调功输出。处于串联模式下时，现有的技术方案是：并联回路退出运行，由并+串联回路单独对负载提供电能，随着多晶硅的生长，负载电流从200A升至1600A，电压由2300V降至180V左右。还原主变压器运行的挡位随着多晶硅的生长由一、二挡逐挡降至四、五挡工作，电压由两挡叠层输出。并+串联回路的各挡电压的正负半周的可控硅两端以及并联回路中的正负半周的可控硅两端均并联有阻容吸收回路，以抑制因振荡引起的过电压对可控硅造成损坏。然而，上述现有的电源方案中，用于解决可控硅开断时过电压的阻容吸收回路在多晶硅处于并联模式或者串联模式下运行时，存在多支阻容吸收回路过流发热的情况，有电容爆裂和电阻烧毁的安全隐患。

有鉴于此，如何在抑制因振荡引起的过电压对可控硅造成损坏的同时，保障阻容吸收回路工作在一个可控可靠的温度内，保证电源系统安全稳定运行已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本申请的目的是提供一种电源电路与电源，能够在有效抑制因振荡引起的过电压对可控硅造成损坏的同时，保障阻容吸收回路工作在一个可控可靠的温度内，保证电源系统安全稳定运行。

为解决上述技术问题，本申请提供了一种电源电路，包括：

多路调功回路，所述调功回路包括反向并联的可控硅；与各所述调功回路一一对应，并联于所述调控回路两端的阻容吸收回路；其中，第一调功回路至第五调功回路的第一端分别与不同电压挡位下的变压器抽头一一对应连接，所述第一调功回路的第一端与第二端分别连接第六调功回路的第一端与汇流排，所述第二调功回路的第一端与第二端分别连接第七调功回路的第一端与所述汇流排，第三调功回路至所述第五调功回路的第二端连接所述汇流排；所述第一调功回路至所述第五调功回路对应连接的所述变压器抽头所对应的电压依次降低。

可选的，与所述第四调功回路并联的所述阻容吸收回路以及与所述第五调功回路并联的所述阻容吸收回路均包括：

第一电容、第一电阻以及第二电阻；所述第一电阻与所述第二电阻并联后与所述电容串联。

可选的，所述第一电阻与所述第二电阻的阻值为30欧姆，所述电容的容量为0.47微法。

可选的，与所述第一调功回路并联的所述阻容吸收回路以及与所述第六调功回路并联的所述阻容吸收回路均包括：

第二电容、第三电容、第三电阻以及第四电阻；所述第三电阻与所述第四电阻并联后与所述第二电容及所述第三电容串联，所述第二电容与所述第三电容的容量为0.22微法，所述第三电阻与所述第四电阻的阻值为100欧姆。

可选的，与所述第二调功回路并联的所述阻容吸收回路以及与所述第七调功回路并联的所述调功回路均包括：