[实用新型]用于等离子体室的边缘环

说明书

提供一种用于等离子体室的边缘环。所述边缘环被配置为沿着衬底支撑件的外围放置。所述边缘环的特征在于顶部和底部。所述边缘环的顶部具有内部台阶区域、顶部倾斜区域、中间顶部区域和外部台阶区域。所述中间顶部区域在所述顶部倾斜区域和所述外部台阶区域之间延伸，并且所述顶部倾斜区域位于所述内部台阶区域和所述中间顶部区域之间。所述顶部倾斜区域具有顶部倾斜表面。所述边缘环的底部包括内底部环表面、中间底部倾斜表面和外底部环表面。所述中间底部倾斜表面在所述内底部环表面和所述外底部环表面之间。所述外底部环表面具有从所述外底部环表面形成到所述边缘环中的多个螺钉插孔件。

技术领域

本发明涉及一种在等离子处理模块中使用的具有台阶和螺钉插孔件的边缘环。

背景技术

在处理半导体衬底中使用的典型衬底处理系统包括用于传送和存储衬底的衬底存储盒(也称为“衬底存储站”或前开式晶圆传送盒(FOUP))、接合在FOUP与一个或多个负载锁定室(也称为“气闸”)的第一侧之间的设备前端模块(EFEM)、耦合到一个或多个气闸的第二侧的真空传输模块，以及耦合到真空传输模块的一个或多个处理模块。每个处理模块用于执行特定的制造操作，例如清洁操作、沉积、蚀刻操作、漂洗操作、干燥操作等。使用凝胶将处理模块的某些硬件部件与处理模块的其他硬件部件粘合在一起。在制造操作过程中，一些凝胶随着时间的流逝而磨损。随着凝胶的磨损，两个硬件部件之间的粘附力减小。当粘附力减小时，硬件部件在制造操作过程中偏移。这导致制造操作的不良结果。

在此上下文中，出现了本实用新型的实施方案。

实用新型内容

公开了一种用于等离子体室的边缘环。所述边缘环被配置为沿着衬底支撑件的外围放置。所述边缘环的特征在于顶部和底部。所述边缘环的顶部具有内部台阶区域、顶部倾斜区域、中间顶部区域和外部台阶区域。所述中间顶部区域在所述顶部倾斜区域和所述外部台阶区域之间延伸，并且所述顶部倾斜区域位于所述内部台阶区域和所述中间顶部区域之间。所述顶部倾斜区域具有顶部倾斜表面。所述边缘环的底部包括内底部环表面、中间底部倾斜表面和外底部环表面。所述中间底部倾斜表面在所述内底部环表面和所述外底部环表面之间。所述外底部环表面具有从所述外底部环表面形成到所述边缘环中的多个螺钉插孔件。

附图说明

图1是根据本发明的具有台阶和螺钉插孔件的半导体处理模块边缘环的俯视立体图；

图2是其俯视图；

图3是其底部立体图；

图4是其仰视图；

图5是其侧视图；

图6是图5的截面视图；

图7是图6的一部分视图(通过图6中的较大虚线圆圈表示的部分)的放大截面视图；

图8是图6的一部分视图(通过图6的较小虚线圆圈表示的部分)的放大截面视图；

图9是图7的一部分视图(通过图7中左侧的较小虚线圆圈表示的部分)的放大截面视图；

图10是图7的一部分视图(通过图7中右侧的较小虚线圆圈表示的部分)的放大截面视图。

具体实施方式

图1示出了在半导体处理模块中使用的边缘环100的俯视立体图，该半导体处理模块是等离子体室。边缘环100被配置为沿着衬底支撑件的外围设置，使得当将衬底容纳在半导体处理模块中时，边缘环100紧邻衬底的边缘放置。边缘环100被配置为邻近于衬底支撑件的外围放置。在一个实施方式中，衬底支撑件是卡盘。在一个实施方式中，边缘环100是可调环或可替换环，并且包括沿衬底的外围延伸的顶部环表面102。顶部环表面102是面对等离子体的表面。