[实用新型]内置有SONOS结构的EEPROM的亮度控制器及LED驱动电源有效

专利信息
申请号: 202020931333.7 申请日: 2020-05-27
公开(公告)号: CN212413480U 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: 郑曰;廖伟明;胡小波 申请(专利权)人: 深圳市芯飞凌半导体有限公司
主分类号: H05B45/345 分类号: H05B45/345;H05B45/325;H05B45/14
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 代理人: 林俭良;高瑞
地址: 518052 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 内置 sonos 结构 eeprom 亮度 控制器 led 驱动 电源
【说明书】:

实用新型公开了一种内置有SONOS结构的EEPROM的亮度控制器及LED驱动电源,该亮度控制器的亮度控制部分包括:SONOS结构的EEPROM,在开关检测模块对输入开关的状态进行检测后,亮度控制模块在输入开关的状态变化第一次满足第一预设条件时,按预设频率输出不断变化的亮度控制信号;在第二次满足第一预设条件时,输出第一次状态变化结束时所对应的亮度控制信号;在输入开关闭合后的第一预设时间到达时,将当前亮度控制信号存入EEPROM中;在输入开关的状态变化满足第二预设条件时,从EEPROM中读出所存储的亮度控制信号,并输出所读出的亮度控制信号。实施本实用新型的技术方案,不需要频繁地进行“关‑开”动作,也能实现LED灯串的多亮度调节,提高了用户体验。

技术领域

本实用新型涉及LED照明领域,尤其涉及一种内置有SONOS结构的EEPROM的亮度控制器及LED驱动电源。

背景技术

随着LED照明应用范围的不断扩大,LED照明也从最单一的照明功能逐渐向智能化、人性化和节能方向发展。为了满足人们在不同情景下对灯光的要求,具备开关调亮度功能的LED照明灯具应运而生。

目前,能够实现亮度调节的方案主要有两种方式:开关调亮度、智能调亮度(即通过手机或者遥控器对灯具的亮度进行调节),其中,对于智能调亮度的方式,虽然其能够实现LED亮度控制,但是需要遥控的发射和接收电路,成本较高;对于开关调亮度的方式,虽然可以以较低的成本实现LED亮度调节功能,但是,现有开关调亮度方案能够实现的亮度非常有限,一般只有几种亮度可供调节。

这两种方式中,通过输入开关调节的成本是最低的,而且无需对现有的线路进行改造,所以开关调亮度方案越来越受到人们的接受。输入开关调亮度是通过输入开关的不断开关动作来控制LED灯珠的电流,也即LED的亮度。具体地,结合图1所示的LED驱动电源,其主要由输入开关101、功率转换电路102、LED灯串104以及亮度控制器103组成。输入开关101连接于交流电源100和功率转换电路102之间,功率转换电路102的输出正极和负极分别与LED灯珠的阳极和阴极相连。亮度控制器103的输入端与输入开关K1 101的输出极相连。亮度控制器103通过对输出开关K1的状态进行检测,并根据输入开关K1的“关-开”动作输出一个Dim信号,该信号用于对功率转换电路102的输出功率进行调节,从而实现LED灯串104的亮度调节。亮度控制器103每检测到一次输入开关K1 101的“关-开”动作,亮度控制器103内部的状态就相应地切换到下一个状态,相对应地其亮度调节信号也切换到一下个状态,同时LED的输出流明度也切换到下一个状态。结合图2,波形K1 200代表的是输入开关K1101的状态,高电平代表输入开关K1 101闭合,低电平代表输入开关K1 101断开。波形LM201代表的是LED的亮度,从图中看出,输入开关K1每“关-开”动作一次,输出亮度LM就会切换到下一个状态。另外,结合图3,输入开关K1的有效动作是指输入开关从关断到重新闭合的时间必须小于一定的时间,也即小于Trest,波形300代表了如果输入开关K1的关断时间Toff大于Trest,当重新闭合输入开关K,则LED的亮度将被复位到第一状态,如波形301所示。由此可见,现有开关调亮度方案可供选择的LED亮度级数非常有限,当然可以通过增加LED亮度级数来满足更多需求,但由于每次“关-开”动作只切换一种LED亮度,所以更多的LED亮度选择也即代表为了得到所需的LED亮度就需要更多的“关-开”动作次数,这是不切实际的,用户体验并不好。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于,针对现有技术存在的成本高或用户体验不好的缺陷,提供一种内置有SONOS结构的EEPROM的亮度控制器及LED驱动电源。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市芯飞凌半导体有限公司,未经深圳市芯飞凌半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020931333.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top