[实用新型]一种新型可控电磁限位器有效
申请号: | 202020941856.X | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN212302298U | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 张军 | 申请(专利权)人: | 北京理澳时代科技有限公司 |
主分类号: | G05D3/00 | 分类号: | G05D3/00 |
代理公司: | 天津睿禾唯晟专利代理事务所(普通合伙) 12235 | 代理人: | 李春荣 |
地址: | 102200 北京市昌平区沙*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 可控 电磁 限位器 | ||
1.一种新型可控电磁限位器,其特征在于:包括骨架(1)以及与所述骨架(1)底端螺栓连接的支撑架(2),所述骨架(1)的内部竖直贯穿设有竖直管孔(101)以及水平贯穿设有水平管孔(102),且所述竖直管孔(101)与所述水平管孔(102)连通,且所述竖直管孔(101)与所述水平管孔(102)之间的所述骨架(1)的斜上方设有斜置管孔(103),所述斜置管孔(103)下端的上部与所述竖直管孔(101)连通,所述竖直管孔(101)内设有第一磁柱(3),所述斜置管孔(103)内设有第二磁柱(4),所述水平管孔(102)内设有水平柱体(5),所述竖直管孔(101)的上下端外部均设有套设有第一线圈(L1),所述斜置管孔(103)的上端外部套设有第二线圈(L2),所述支撑架(2)的上端设有用于放置所述竖直管孔(101)下部的所述第一线圈(L1)的凹槽(201),且所述支撑架(2)的中心竖直贯穿设有第一安装孔(202),所述第一安装孔(202)与所述竖直管孔(101)连通,所述第一安装孔(202)内竖直设有支撑柱(6);所述竖直管孔(101)与所述斜置管孔(103)连通处的上部设为第一管腔(104)以及下部设为第二管腔(105),所述骨架(1)上水平贯穿设有与所述第一管腔(104)连通的检测孔(106)。
2.根据权利要求1所述的一种新型可控电磁限位器,其特征在于:所述支撑架(2)的内部水平贯穿设有与所述第一安装孔(202)连通的第二安装孔(203),所述第二安装孔(203)内设有支撑栓(7),且所述支撑栓(7)贯穿所述支撑柱(6)将所述支撑柱(6)固定在所述第一安装孔(202)内。
3.根据权利要求1所述的一种新型可控电磁限位器,其特征在于:所述骨架(1)的一侧壁上设有与所述第一管腔(104)连通的第一检修孔(107)和与所述第二管腔(105)连通的第二检修孔(108)。
4.根据权利要求1所述的一种新型可控电磁限位器,其特征在于:所述斜置管孔(103)的轴心线与所述竖直管孔(101)的轴心线之间的夹角为30-60°。
5.根据权利要求2所述的一种新型可控电磁限位器,其特征在于:所述第一安装孔(202)的孔径大于所述竖直管孔(101)的孔径。
6.根据权利要求1所述的一种新型可控电磁限位器,其特征在于:所述竖直管孔(101)的上端设有接线电路板(8),所述接线电路板(8)上设有微处理器、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)、可控电源(V),所述检测孔(106)的两端分别设有发光二极管(LED1)、光敏三极管(GM1);
所述微处理器包括I/O接口,所述第一三极管(Q1)的基极通过所述第一电阻(R1)与所述I/O接口连接,所述第一三极管(Q1)的发射极与所述可控电源(V)的正极连接,所述第一三极管(Q1)的集电极通过所述第二电阻(R2)与所述第二三极管(Q2)的基极连接,所述第二三极管(Q2)的发射极接地,所述第二三极管(Q2)的集电极通过所述第一线圈(L1)与所述可控电源(V)的正极连接;
所述第三三极管(Q3)的基极通过所述第三电阻(R3)与所述I/O接口连接,所述第三三极管(Q3)的发射极与所述可控电源(V)的正极连接,所述第三三极管(Q3)的集电极通过所述第四电阻(R4)与所述第四三极管(Q4)的基极连接,所述第四三极管(Q4)的发射极接地,所述第四三极管(Q4)的集电极通过所述第二线圈(L2)与所述可控电源(V)的正极连接;
所述可控电源(V)的正极通过所述第六电阻(R6)与所述发光二极管(LED1)的正极连接,所述发光二极管(LED1)的负极与所述第四三极管(Q4)的发射极连接并接地;所述可控电源(V)的正极通过所述第五电阻(R5)分别与所述I/O接口、光敏三极管(GM1)的集电极连接,所述光敏三极管(GM1)的发射极与所述第四三极管(Q4)的发射极连接并接地。
7.根据权利要求6所述的一种新型可控电磁限位器,其特征在于:所述第一三极管(Q1)、第三三极管(Q3)均为PNP管,所述第二三极管(Q2)、第四三极管(Q4)、光敏三极管(GM1)均为NPN管。
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