[实用新型]一种新型可控电磁限位器有效

专利信息
申请号: 202020941856.X 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN212302298U 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 张军 申请(专利权)人: 北京理澳时代科技有限公司
主分类号: G05D3/00 分类号: G05D3/00
代理公司: 天津睿禾唯晟专利代理事务所(普通合伙) 12235 代理人: 李春荣
地址: 102200 北京市昌平区沙*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 新型 可控 电磁 限位器
【权利要求书】:

1.一种新型可控电磁限位器,其特征在于:包括骨架(1)以及与所述骨架(1)底端螺栓连接的支撑架(2),所述骨架(1)的内部竖直贯穿设有竖直管孔(101)以及水平贯穿设有水平管孔(102),且所述竖直管孔(101)与所述水平管孔(102)连通,且所述竖直管孔(101)与所述水平管孔(102)之间的所述骨架(1)的斜上方设有斜置管孔(103),所述斜置管孔(103)下端的上部与所述竖直管孔(101)连通,所述竖直管孔(101)内设有第一磁柱(3),所述斜置管孔(103)内设有第二磁柱(4),所述水平管孔(102)内设有水平柱体(5),所述竖直管孔(101)的上下端外部均设有套设有第一线圈(L1),所述斜置管孔(103)的上端外部套设有第二线圈(L2),所述支撑架(2)的上端设有用于放置所述竖直管孔(101)下部的所述第一线圈(L1)的凹槽(201),且所述支撑架(2)的中心竖直贯穿设有第一安装孔(202),所述第一安装孔(202)与所述竖直管孔(101)连通,所述第一安装孔(202)内竖直设有支撑柱(6);所述竖直管孔(101)与所述斜置管孔(103)连通处的上部设为第一管腔(104)以及下部设为第二管腔(105),所述骨架(1)上水平贯穿设有与所述第一管腔(104)连通的检测孔(106)。

2.根据权利要求1所述的一种新型可控电磁限位器,其特征在于:所述支撑架(2)的内部水平贯穿设有与所述第一安装孔(202)连通的第二安装孔(203),所述第二安装孔(203)内设有支撑栓(7),且所述支撑栓(7)贯穿所述支撑柱(6)将所述支撑柱(6)固定在所述第一安装孔(202)内。

3.根据权利要求1所述的一种新型可控电磁限位器,其特征在于:所述骨架(1)的一侧壁上设有与所述第一管腔(104)连通的第一检修孔(107)和与所述第二管腔(105)连通的第二检修孔(108)。

4.根据权利要求1所述的一种新型可控电磁限位器,其特征在于:所述斜置管孔(103)的轴心线与所述竖直管孔(101)的轴心线之间的夹角为30-60°。

5.根据权利要求2所述的一种新型可控电磁限位器,其特征在于:所述第一安装孔(202)的孔径大于所述竖直管孔(101)的孔径。

6.根据权利要求1所述的一种新型可控电磁限位器,其特征在于:所述竖直管孔(101)的上端设有接线电路板(8),所述接线电路板(8)上设有微处理器、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)、可控电源(V),所述检测孔(106)的两端分别设有发光二极管(LED1)、光敏三极管(GM1);

所述微处理器包括I/O接口,所述第一三极管(Q1)的基极通过所述第一电阻(R1)与所述I/O接口连接,所述第一三极管(Q1)的发射极与所述可控电源(V)的正极连接,所述第一三极管(Q1)的集电极通过所述第二电阻(R2)与所述第二三极管(Q2)的基极连接,所述第二三极管(Q2)的发射极接地,所述第二三极管(Q2)的集电极通过所述第一线圈(L1)与所述可控电源(V)的正极连接;

所述第三三极管(Q3)的基极通过所述第三电阻(R3)与所述I/O接口连接,所述第三三极管(Q3)的发射极与所述可控电源(V)的正极连接,所述第三三极管(Q3)的集电极通过所述第四电阻(R4)与所述第四三极管(Q4)的基极连接,所述第四三极管(Q4)的发射极接地,所述第四三极管(Q4)的集电极通过所述第二线圈(L2)与所述可控电源(V)的正极连接;

所述可控电源(V)的正极通过所述第六电阻(R6)与所述发光二极管(LED1)的正极连接,所述发光二极管(LED1)的负极与所述第四三极管(Q4)的发射极连接并接地;所述可控电源(V)的正极通过所述第五电阻(R5)分别与所述I/O接口、光敏三极管(GM1)的集电极连接,所述光敏三极管(GM1)的发射极与所述第四三极管(Q4)的发射极连接并接地。

7.根据权利要求6所述的一种新型可控电磁限位器,其特征在于:所述第一三极管(Q1)、第三三极管(Q3)均为PNP管,所述第二三极管(Q2)、第四三极管(Q4)、光敏三极管(GM1)均为NPN管。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京理澳时代科技有限公司,未经北京理澳时代科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020941856.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top