[实用新型]一种应用于多主栅电池片IV测试的探针排结构有效
申请号: | 202020948730.5 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN211929438U | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 张顺超;李克阁 | 申请(专利权)人: | 徐州谷阳新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 贺翔 |
地址: | 221300 江苏省徐州市邳*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 多主栅 电池 iv 测试 探针 结构 | ||
本实用新型公开一种应用于多主栅电池片IV测试的探针排结构,所述探针排结构包括测试平台,所述测试平台上并排安装有多个探针单元,所述测试平台上开有若干孔洞以容纳探针单元穿过并固定;所述探针排结构还包括铜条,所述铜条上开有孔,所述孔的位置与各探针单元一一对应,所述探针单元的顶部去除探针头,插入至所述铜条上的孔中,接触位置通过焊接方式固定连接。该探针排结构,能够有效的确保测试端和硅片的接触性,确保测试时电流、电压的稳定,可以兼容常规5BB、9BB等多主栅电池片,减少更换探针的次数和数量。
技术领域
本实用新型涉及新型MWT太阳能电池的IV测试技术领域,尤其是一种应用于主栅电池片IV测试的探针排结构。
背景技术
太阳能光伏组件由于其节省能源、降低污染等特性,使其使用越来越广泛。太阳能产业的蓬勃发展,产业自动化水平逐渐提高,整个机台稼动率和机台产出率成为工厂降本提效的关键。
在太阳能电池片生产过程中IV测试是必须的一个环节,现有技术在MWT测试分选时,先对MWT电池片前后左右以及旋转角度进行定位,然后通过皮带将电池片传送至测试平台,上台面上升,作为电池片的承载平台,同时上台面产生真空吸附作用,将电池片吸附住固定在上台面上;接着下台面的测试探针上升,穿过上台面的孔洞与电池片正负电极点有效接触,从而测量电池片电性能。该测试装置是电池片的下表面与上台面有效接触,利用上台面产生的真空吸附电池片,下台面探针上升进行电性能测量,故探针排需要准确的对应各极点。
探针排是通过探针和电池片接触电池片来测量电池片的各种电性能参数,由于长时间的接触和运行探针针头出现磨损导致接触不良,测试结果不稳定;而且在生产不同产品时会有不同的需求,IV测试的探针排针对不同产品需要重新设计安装,如5BB、9BB等多主栅电池片对IV测试探针排的密度要求有所区别,探针排无法做到通用,在测试时需不停更换探针排以匹配不同型号的多主栅电池片的检测,更换探针排、安装、对准等过程大大延长了测试时间,增加了探针的耗材成本,也降低了测试的准确性。
实用新型内容
为了解决上述背景技术中的问题,本实用新型的目的是提供一种应用于多主栅电池片IV测试的探针排结构,会有效的确保测试端和硅片的接触性,确保测试时电流、电压的稳定,可以兼容常规5BB、9BB等多主栅电池片,减少更换探针的次数和数量。
本实用新型一种应用于多主栅电池片IV测试的探针排结构,所述探针排结构包括测试平台,所述测试平台上并排安装有多个探针单元,所述测试平台上开有若干孔洞以容纳探针单元穿过并固定;
所述探针排结构还包括铜条,所述铜条上开有孔,所述孔的位置与各探针单元一一对应,所述探针单元的顶部去除探针头,插入至所述铜条上的孔中,接触位置通过焊接方式固定连接。
进一步的,所述铜条上与开孔面相对的面与硅片的极点位置相接触。
作为一种优选,所述铜条的尺寸为170mm*2mm*4mm,开孔面位于170mm*2mm的侧面上,孔深为1.5mm,孔径为 1.2mm。
为了只用方便且避免检测人员受伤,所述铜条两端打磨成圆弧面。
更进一步的,所述探针单元中设有使探针能够从孔洞中弹出的弹性结构。
有益效果:
本实用新型通过铜条与硅片上的电极点相接触,减少了探针头与电极点直接接触,有效的确保测试端和硅片的接触性,确保测试时电流、电压的稳定。
铜条接触面大,可以兼容常规5BB、9BB等多主栅电池片,减少更换探针的次数和数量,降低探针的耗材成本和提高机台的稼动时间。
铜条接触的形式,使用方便,使用时只需要定期用细砂纸对铜条和硅片的接触面进行打磨,去除氧化层和脏污,保证铜条和硅片有良好的接触性。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造