[实用新型]一种基于电平转换电路的多路串行通信接口

权利要求书

1.一种基于电平转换电路的多路串行通信接口，其特征在于：包含控制电路以及与其连接的用于实现多路串行通信的接口电路；

存储器、复位电路、时钟电路、电源电路和JTAG辅助电路分别与DSP处理器连接；

所述接口电路包含协议处理器、译码器、隔离电路和电平转换电路，所述译码器与协议处理器连接，所述协议处理器通过隔离电路连接电平转换电路；

所述电平转换电路包括信号输入端、信号输出端、用于将所述信号输入端输入的高电平信号转换为低电平信号的第一电平转换模块，以及将所述第一电平转换模块输出的低电平信号转换为高电平信号的第二电平转换模块；所述第二电平转换模块转换后输出的高电平信号的电平低于所述信号输入端所输入的高电平信号；

其中，所述第一电平转换模块的输入端与所述信号输入端连接，所述第一电平转换模块的输出端与所述第二电平转换模块的输入端连接，所述第二电平转换模块的输出端连接所述信号输出端；

所述第一电平转换模块包括第一电源、第一N沟道MOS管、第一电阻以及第一电容，所述第一N沟道MOS管的栅极与第一电平转换模块的输入端连接，所述第一N沟道MOS管的源极接地，所述第一N沟道MOS管的漏极与所述第一电阻一端连接，所述第一电阻另一端连接所述第一电源，所述第一电容的正极与所述第一N沟道MOS管的漏极以及第一电平转换模块的输出端连接，所述第一电容的负极接地；

所述第二电平转换模块包括第二电源、第二N沟道MOS管、第二电阻以及第二电容，所述第二N沟道MOS管的栅极与第二电平转换模块的输入端连接，所述第二N沟道MOS管的源极接地，所述第二N沟道MOS管的漏极与所述第二电阻一端连接，所述第二电阻另一端连接第二电源，所述第二电容的正极与所述第二N沟道MOS管的漏极以及第二电平转换模块的输出端连接，所述第二电容的负极接地。

2.根据权利要求1所述的一种基于电平转换电路的多路串行通信接口，其特征在于：所述DSP处理器选用TI的浮点运算低功耗芯片TMS320C6748，其主频为456 MHz，具有高达3648MIPS和2756MFLOPS的运算能力。

3.根据权利要求1所述的一种基于电平转换电路的多路串行通信接口，其特征在于：所述时钟电路采用时钟信号为24 MHz OSC外部时钟晶体输出。

4.根据权利要求1所述的一种基于电平转换电路的多路串行通信接口，其特征在于：所述电源电路采用集成电源供电方式，即内核电压和I/O电压通过同一块电源模块供电，内核电压为1.2V，I/O电压为1.8V和3.3 V，采用电源管理芯片TPS650061RUK。

5.根据权利要求1所述的一种基于电平转换电路的多路串行通信接口，其特征在于：所述复位电路采用基于IPM811复位芯片。

6.根据权利要求1所述的一种基于电平转换电路的多路串行通信接口，其特征在于：所述电平转换电路还包括用于滤波的第三电容，所述第三电容的负极一端接地，其正极一端连接于所述信号输入端及所述第一电平转换模块输入端的中间处，且分别与第一N沟道MOS管、第一电容、第二N沟道MOS管以及第二电容并联。

7.根据权利要求1所述的一种基于电平转换电路的多路串行通信接口，其特征在于：所述存储器包含RAM存储器和Flash存储器，所述RAM存储器和Flash存储器分别与DSP处理器连接，所述RAM存储器采用TI的低功耗高速RAMMT47H64M16芯片，所述Flash存储器采用SPANSION公司的S29GL128N芯片。

8.根据权利要求1所述的一种基于电平转换电路的多路串行通信接口，其特征在于：所述协议处理器采用TL16C754芯片。

9.根据权利要求1所述的一种基于电平转换电路的多路串行通信接口，其特征在于：所述隔离电路采用ADI公司的六通道数字隔离器ADuM7643，用于实现接口电路的数字隔离。

10.根据权利要求1所述的一种基于电平转换电路的多路串行通信接口，其特征在于：所述电平转换电路采用驱动总线收发器MAX490，实现RS422信号收发功能。