[实用新型]一种用于降低表面温度的改进型籽晶铱金杆有效

专利信息
申请号: 202020958256.4 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN212293839U 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 陈基平;王魁光;陈志辉 申请(专利权)人: 福建科彤光电技术有限公司
主分类号: C30B15/32 分类号: C30B15/32;C30B29/30
代理公司: 福州盈创知识产权代理事务所(普通合伙) 35226 代理人: 吴德兰
地址: 350014 福建省福州*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 降低 表面温度 改进型 籽晶 铱金杆
【说明书】:

实用新型公开了一种用于降低表面温度的改进型籽晶铱金杆,铱金杆本体的铱金连杆、籽晶固定部和连接部构成一体式结构,且在铱金连杆的侧壁上中部处开设缺口,缺口的深度为铱金连杆直径大小的五分之一,通过把铱金连杆中间切割掉一块形成缺口,减少涡流发热,降低铱金籽晶杆头部的温度,以有效解决籽晶回熔问题,籽晶固定部内部的安装槽为上小下大的圆台形结构,并在安装槽端口处的籽晶固定部外壁上设置连接螺纹活动连接侧壁上带有通孔的端盖,籽晶从籽晶固定部侧壁上的进出口进入到安装槽内卡合固定后,端盖套合于籽晶外壁上并螺纹连接于安装槽端口处的籽晶固定部外壁上,利用端盖进一步固定籽晶,保证了籽晶安装的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及铱金杆技术领域,具体为一种用于降低表面温度的改进型籽晶铱金杆。

背景技术

籽晶是具有和所需晶体相同晶向的小晶体,是生长单晶的种子,也叫晶种。用不同晶向的籽晶做晶种,会获得不同晶向的单晶。按用途分,有CZ直拉单晶籽晶、区熔籽晶、蓝宝石籽晶、SiC籽晶。

然而因提拉Nd:YVO4晶体所使用的中频交变电流,在感应线圈中产生高密度的磁力线,在铱金籽晶杆中产生很大的涡流,使铱金杆发热,特别是铱金杆头部,固定籽晶位置,因更靠近感应线圈,磁力线更密集,铱金杆在此位置温度最高。提拉生长过程,籽晶在铱金杆固定的区域表面温度过高,出现籽晶回熔现象,影响到籽晶的重复利用以及晶体的成功下种。

因此,我们推出了一种用于降低表面温度的改进型籽晶铱金杆。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于降低表面温度的改进型籽晶铱金杆,通过把铱金籽晶杆杆头中间切割掉一块,减少涡流发热,降低铱金籽晶杆头部的温度,以有效解决籽晶回熔问题,从而解决了上述背景中所提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种用于降低表面温度的改进型籽晶铱金杆,包括铱金杆本体和延长部,延长部设置于铱金杆本体的末端,所述铱金杆本体包括铱金连杆、籽晶固定部、安装槽、进出口、连接部和螺纹孔A,铱金连杆的一端侧壁上设置有籽晶固定部,籽晶固定部的内部开设有安装槽,且安装槽一侧的籽晶固定部侧壁上开设有进出口,进出口与安装槽相连通,连接部固定连接于铱金连杆远离籽晶固定部的一端的侧壁上,且连接部的非固定端侧壁上开设有螺纹孔A,螺纹孔A内活动连接延长部;

所述延长部包括加长杆、螺纹凸柱和螺纹孔B,加长杆的一端侧壁上设置有螺纹凸柱,螺纹凸柱与加长杆为一体式结构,且加长杆通过螺纹凸柱活动套接于螺纹孔A内部,加长杆远离螺纹凸柱的一端侧壁上开设有螺纹孔B。

进一步地,所述铱金连杆的侧壁上中部处开设有缺口,且缺口的深度为铱金连杆直径大小的五分之一。

进一步地,所述铱金连杆、籽晶固定部和连接部构成一体式结构。

进一步地,所述籽晶固定部的端口外壁上均匀设置有连接螺纹,且连接螺纹的外壁上活动连接有端盖,端盖对应安装槽的侧壁上开设有通孔。

进一步地,所述通孔的直径大小与安装槽端口直径大小相等。

进一步地,所述安装槽为上小下大的圆台形结构。

进一步地,所述加长杆的直径大小与连接部的直径大小相等。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:

1.本实用新型提出的一种用于降低表面温度的改进型籽晶铱金杆,铱金杆本体的铱金连杆、籽晶固定部和连接部构成一体式结构,且在铱金连杆的侧壁上中部处开设缺口,缺口的深度为铱金连杆直径大小的五分之一,通过把铱金连杆中间切割掉一块形成缺口,减少涡流发热,降低铱金籽晶杆头部的温度,以有效解决籽晶回熔问题。

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